[发明专利]一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜，其特征在于，由TiO₂层、Si₃N₄层及SiO₂层多次交替堆叠而成，TiO₂层、Si₃N₄层及SiO₂层的光学厚度分别为各层对应材料参考波长的0.1～0.25倍；其中TiO₂层的折射率为2.5～2.7，Si₃N₄层的折射率为1.8～2.0，SiO₂层的折射率为1.4～1.6。

2.根据权利要求1所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜，其特征在于，所述TiO₂层的层数为1层，所述Si₃N₄层及SiO₂层的层数均为2层。

3.根据权利要求2所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜，其特征在于，所述空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜由TiO₂层、Si₃N₄层、SiO₂层、Si₃N₄层和SiO₂层依次叠加而成，其中TiO₂层与衬底接触，最后一个SiO₂层与入射介质接触。

4.根据权利要求3所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜，其特征在于，所述TiO₂层的厚度为38～42nm，与TiO₂层接触的Si₃N₄层的厚度为48～52nm，另一Si₃N₄层的厚度为18～22nm，与入射介质接触的SiO₂层的厚度为93～97nm，另一SiO₂层的厚度为30～34nm。

5.权利要求1～4任一项所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜的制备方法，其特征在于，在GaAs衬底表面，采用射频磁控溅射沉积和等离子体增强化学气相沉积法结合的方法多次交替沉积TiO₂层、Si₃N₄层及SiO₂层。

6.根据权利要求5所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜的制备方法，其特征在于，所述TiO₂层的沉积工艺参数为：采用磁控溅射沉积法，选择射频电源，在真空度为3×10^-2Pa～4.5×10^-2Pa、衬底的温度为室温、工件盘转速为5rpm条件下溅射30min，其中靶材为TiO₂靶材。

7.根据权利要求5所述一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜的制备方法，其特征在于，所述Si₃N₄、SiO₂层的沉积工艺参数为：采用等离子体增强化学气相沉积法，在氮气流量为800sccm、氨气流量为12sccm、硅烷流量为300sccm、沉积温度为250℃、沉积功率为50W、沉积压力为850mTorr的条件下沉积Si₃N₄层，其中与TiO₂层接触的Si₃N₄层的沉积时间为140～160s，另一Si₃N₄层的沉积时间为50～70s；采用等离子体增强化学气相沉积法，在氮气流量为400sccm、硅烷流量为400sccm、一氧化二氮流量为1000sccm、沉积温度为250℃、沉积功率为50W、沉积压力为850mTorr的条件下沉积SiO₂层，其中与入射介质接触的SiO₂层的沉积时间为100～106s，另一SiO₂层的沉积时间为30～36s。