[发明专利]一种LD芯片共晶焊接台

权利要求书

1.一种LD芯片共晶焊接台，其特征在于，包括底板及固定于所述底板上的基板定位机构、XY补偿装置、共晶温度控制装置、吸真空装置及共晶上罩，其中，

所述共晶温度控制装置包括芯片立柱、芯片隔热块、陶瓷加热片、共晶板与冷却吹气系统，所述芯片立柱设置于所述底板上，所述芯片隔热块设置于所述芯片立柱上，所述陶瓷加热片设置于所述芯片隔热块上，所述共晶板设置于所述陶瓷加热片上；

所述吸真空装置依次与所述芯片立柱、所述芯片隔热块、所述陶瓷加热片与所述共晶板相连通，用于通过真空将LD的基板吸附于所述共晶板上；

所述共晶上罩与所述芯片隔热块连接形成共晶腔体，所述共晶上罩上设置有通孔，所述通孔与所述共晶腔体相连通，所述基板通过所述通孔被吸附于所述共晶腔体内的所述共晶板上；LD芯片通过所述通孔贴装于所述基板上，所述LD芯片与所述基板在所述共晶腔体内进行共晶反应；

所述基板定位机构包括驱动装置、单凸轮机构与双凸轮机构，所述单凸轮机构与所述双凸轮机构分别与所述驱动装置连接；所述单凸轮机构与所述双凸轮机构设置于所述共晶温度控制装置的外围，用于对所述共晶板上的所述基板进行X、Y方向的定位；

所述XY补偿装置与所述共晶温度控制装置分别位于所述底板的不同侧，用于对所述底板进行X、Y方向的位置补偿；

所述冷却吹气系统与所述共晶腔体连通，用于对所述共晶板进行冷却降温。

2.根据权利要求1所述的LD芯片共晶焊接台，其特征在于，所述共晶温度控制装置还包括热电偶与压块，所述热电偶与所述共晶板连接，用于实时监测所述共晶板的温度；

所述压块设置于所述芯片隔热块的边缘，用于将所述陶瓷加热片与所述共晶板固定于所述芯片隔热块内。

3.根据权利要求2所述的LD芯片共晶焊接台，其特征在于，所述芯片立柱上设置有真空气管接头，所述芯片立柱内设置有穿孔，所述芯片立柱背向所述底板的一侧设置有真空管，所述穿孔的两端分别与所述真空气管接口、所述真空管相连通；

所述芯片隔热块、所述陶瓷加热片与所述共晶板上分别设置有通气孔，所述真空管依次穿过所述芯片隔热块、所述陶瓷加热片与所述共晶板向所述共晶腔体内吹入真空。

4.根据权利要求1所述的LD芯片共晶焊接台，其特征在于，所述共晶上罩包括共晶保护气盖、共晶保护气罩、共晶玻璃与挡片，所述共晶玻璃设置于所述共晶保护气盖内，所述共晶保护气罩罩设于所述共晶保护气盖上；

所述共晶保护气盖上设置有挡片插槽，所述挡片插入所述挡片插槽内，通过所述挡片将所述共晶保护气盖固定于所述芯片隔热块上；

所述共晶保护气盖、所述共晶保护气罩与所述共晶玻璃上均设有通孔，用于通过所述通孔将所述基板置于所述共晶板上；所述共晶保护气罩上设置有气管接头，所述气管接头通过所述通孔与所述共晶腔体相连通。

5.根据权利要求4所述的LD芯片共晶焊接台，其特征在于，还包括防氧化装置，其设置于所述底板上，所述防氧化装置插入所述共晶保护气盖与所述共晶腔体相连通，用于向所述共晶腔体内吹入保护气体。

6.根据权利要求5所述的LD芯片共晶焊接台，其特征在于，所述防氧化装置包括第一气接头、辅助温控器、固定座与第二气接头，所述固定座固定于所述底板上，所述辅助温控器设置于所述固定座上，所述第一气接头与所述辅助温控器连接，所述第二气接头穿过所述底板与所述固定座连接；

所述第一气接头上设置有出气管，所述共晶保护气盖上设置有相应的进气孔，所述进气孔与所述共晶腔体相连通，所述出气管插入所述进气孔内。