[发明专利]可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法在审
| 申请号： | 202011016844.7 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112116944A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 徐明揆;刘梦 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 编程 存储 单元 干扰 方法 | ||
1.一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S0、对NAND FLASH的存储区域进行初始化读操作，设置循环次数为0；
步骤S1、采用编程电压，对NAND FLASH的存储区域的存储单元进行编程操作；
步骤S2、采用第一校验电压，对被编程的存储单元进行第一校验操作，若校验成功，则进入步骤S3；若校验失败，则回到步骤S1；
步骤S3、采用第二校验电压，对被编程的存储单元进行第二校验操作，若校验成功，则结束；若校验失败，则进入步骤S4；其中，第一校验电压小于第二校验电压；
步骤S4、对所述循环次数加1计数，如所述循环次数计数达到预设次数阈值则结束；若否，则执行步骤S5；
步骤S5、提高编程电压，然后回到步骤S1。
2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，步骤S1还包括：对存储区域中与被编程的存储单元不同行的存储单元施加传输电压。
3.根据权利要求2所述的编程方法，其特征在于，步骤S5还包括：在提高编程电压，然后回到步骤S1的同时，还提高所述传输电压。
4.根据权利要求3所述的编程方法，其特征在于，所述提高传输电压为提高传输电压为原来传输电压的5％-20％。
5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述提高编程电压为提高编程电压0.5V。
6.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述第一校验电压为0.8V，所述第二校验电压为1V。
7.根据权利要求1-6中任何一项所述的编程方法，其特征在于，在所述步骤S0中，还包括：设置传输电压为6V。
8.根据权利要求1-6中任何一项所述的编程方法，其特征在于，在所述步骤S0中，还包括：将预设次数阈值设置为2、3或4。
9.根据权利要求8所述的编程方法，其特征在于，预设次数阈值为3。
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