[发明专利]研磨用组合物和研磨方法

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其包含：

二氧化硅磨粒；

第一水溶性高分子，其由包含内酰胺环的化合物形成、且重均分子量为25000以上且低于30万；

第二水溶性高分子，其由包含内酰胺环的化合物形成、且重均分子量为1000以上且低于25000；

碱性化合物；和，

水，

所述第一水溶性高分子的含有率(W1)与所述第二水溶性高分子的含有率(W2)的比率(W1/W2)为1/15以上且15/1以下。

2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述第一水溶性高分子和所述第二水溶性高分子为由包含内酰胺环的化合物形成的单体构成的均聚物，或为由包含内酰胺环的化合物形成的单体和不含内酰胺环的化合物形成的单体构成的共聚物。

3.根据权利要求2所述的研磨用组合物，其中，作为所述由包含内酰胺环的化合物形成的单体，包含选自由乙烯基吡咯烷酮、乙烯基己内酰胺、乙烯基戊内酰胺、乙烯基月桂内酰胺、乙烯基哌啶酮组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的研磨用组合物，其中，作为所述均聚物，包含选自由聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基己内酰胺、聚乙烯基戊内酰胺、聚乙烯基月桂内酰胺和聚乙烯基哌啶酮组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述第一水溶性高分子和所述第二水溶性高分子为聚乙烯基吡咯烷酮。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨用组合物，其中，所述第一水溶性高分子和所述第二水溶性高分子的总计含有率为0.05质量％以下。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨用组合物，其还包含侵蚀抑制剂，所述侵蚀抑制剂由表面活性剂或具有胍基的化合物形成。

8.根据权利要求7所述的研磨用组合物，其中，所述表面活性剂为阴离子系表面活性剂。

9.根据权利要求7所述的研磨用组合物，其中，所述具有胍基的化合物为肌酸酐或精氨酸。

10.一种研磨方法，其包括如下工序：使用权利要求1～9中任一项所述的研磨用组合物，对包含由具有硅-硅键的硅材料形成的膜的研磨对象物进行研磨。

11.一种研磨方法，其包括如下工序：使用权利要求1～9中任一项所述的研磨用组合物，利用CMP法对在由绝缘膜形成的图案上形成了由具有硅-硅键的硅材料形成的膜的研磨对象物进行研磨，从而形成由所述硅材料形成的布线图案。