[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层具有至少一个沟槽；

以半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成图案化硬掩膜层，包括：

在所述衬底上形成硬掩膜材料层；

处理所述硬掩模材料层，形成所述图案化硬掩膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成图案化硬掩膜层包括：

在所述衬底上自下而上依次形成硬掩膜材料层和光刻胶层；

处理所述光刻胶层，以形成光刻胶图案；

在所述光刻胶图案的遮挡下，处理所述硬掩膜材料层，形成所述图案化硬掩膜层。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜材料层的材料为氧化硅、氮化硅、无定形碳中的一种或多种。

5.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，处理所述硬掩膜材料层，形成所述图案化硬掩膜层包括：

采用湿法刻蚀或干法刻蚀的方式处理所述硬掩膜材料层，形成所述图案化硬掩膜层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，以半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区包括：

以多晶硅材料填充所述至少一个沟槽，获得多晶硅填充部；

热处理所述多晶硅填充部，形成单晶硅填充部；

处理所述单晶硅填充部，形成有源区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，处理所述单晶硅填充部，形成有源区包括：

对所述单晶硅填充部进行离子掺杂，形成所述有源区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，以半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区包括：

采用已掺杂的半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，以半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区包括：

采用外延生长工艺或沉积工艺填充所述至少一个沟槽，形成有源区。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述图案化硬掩膜层还具有遮光部；

以半导体材料填充所述至少一个沟槽，形成有源区后，所述半导体器件的制作方法还包括：

去除所述图案化硬掩膜层所具有的所述遮光部。