[发明专利]一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置

权利要求书

1.一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，包括机体(1)和入料斗(2)，入料斗(2)固定安装在机体(1)的顶部并与机体(1)的内腔连通，其特征在于：所述机体(1)的内底部滑动连接有集料箱(3)的底部，且集料箱(3)的正面贯穿机体(1)的正面，机体(1)内顶部的中部固定连接有固定框(4)，且固定框(4)的内腔与入料斗(2)的内腔连通，机体(1)背面的顶部固定安装有两个驱动电机(5)，且两个驱动电机(5)的输出轴均贯穿机体(1)的背面并延伸至固定框(4)内套装有破碎轮(6)，且两个破碎轮(6)相互啮合并位于入料斗(2)的下方，破碎轮(6)的下方设置有分料板(7)，且分料板(7)的左右两侧分别与固定框(4)内壁左右两侧的底部固定连接，分料板(7)内固定安装有两排下料机构(8)和挡料机构(9)，且两排下料机构(8)与挡料机构(9)呈相间状设置，每两列下料机构和挡料机构(9)之间均设置有分隔机构(10)。

2.根据权利要求1所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述下料机构(8)包括安装槽(81)、活动片(82)、转轴(83)、第一磁块(84)、第一磁片(85)、第二磁块(86)、第二磁片(87)、粗料管(88)和细料管(89)，所述安装槽(81)开设在分料板(7)的顶部并贯穿分料板(7)的底部，活动片(82)位于安装槽(81)内腔的上部并与安装槽(81)的顶部契合，活动片(82)的底部向下突出并穿插有转轴(83)，且转轴(83)的前后两端分别与安装槽(81)内壁的前后两侧活动连接，第一磁块(84)固定连接在活动片(82)突出部分的左侧，第一磁片(85)镶嵌在安装槽(81)内后壁的左侧并位于第一磁块(84)的左侧，第二磁块(86)固定连接在活动片(82)突出部分的右侧，第二磁片(87)镶嵌在安装槽(81)内后壁的右侧并位于第二磁块(86)的右侧，粗料管(88)的顶端固定连接在安装槽(81)底部的左侧，细料管(89)的顶端固定连接在安装槽(81)底部的右侧，且粗料管(88)与细料管(89)的底端均位于集料箱(3)的上方。

3.根据权利要求2所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述活动片(82)位于转轴(83)左侧的左半部长度大于活动片(82)位于转轴(83)右侧的右半部长度，且活动片(82)呈倾斜状并与分料板(7)的顶部保持平行。

4.根据权利要求2所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述第一磁块(84)与第一磁片(85)之间的距离和第二磁块(86)与第二磁片(87)之间的距离相等，且第一磁块(84)与第一磁片(85)之间通过磁力相互吸引，第二磁块(86)与第二磁片(87)之间通过磁力相互吸引。

5.根据权利要求2所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述挡料机构(9)包括活动槽(91)、半球气囊(92)、限位块(93)、薄壁部(94)、弯曲片(95)、转片(96)和销轴(97)，所述活动槽(91)开设在安装槽(81)的内右壁并贯穿分料板(7)的顶部，半球气囊(92)嵌装在活动槽(91)的顶部内，限位块(93)分别固定连接在半球气囊(92)的左右两侧并插接在分料板(7)内，半球气囊(92)顶部的内外两侧均向内凹陷形成薄壁部(94)，弯曲片(95)嵌装在半球气囊(92)的底部，且弯曲片(95)底部的中部与转片(96)顶部的右侧铰接，销轴(97)穿插在转片(96)的中部内，且销轴(97)的前后两端分别与活动槽(91)内腔左侧内壁的前后两侧活动连接，转片(96)顶部的左侧与活动片(82)底部的右侧贴合。

6.根据权利要求1所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述分隔机构(10)包括顶端呈尖锥状的分隔条(101)和导料槽(102)，导料槽(102)分别开设在分隔条(101)顶端的左右两侧，且两个导料槽(102)均贯穿分隔条(101)的底部并与分隔条(101)的下方连通，分隔条(101)的底部固定连接在分料板(7)上。

7.根据权利要求2所述的一种基于质量分级下料的多晶体冰糖破碎装置，其特征在于：所述集料箱(3)包括箱体(31)、隔板(32)和收集腔(33)，箱体(31)的底部滑动连接在机体(1)的内底部，且箱体(31)内固定连接有四个隔板(32)，隔板(32)的底部和左右两侧分别与箱体(31)的内底部和内壁左右两侧固定连接，四个隔板(32)将箱体(31)的内腔划分为五个收集腔(33)，且每个收集腔(33)按照从前往后的顺序分别位于分料板(7)前侧的下方、粗料管(88)的下方和细料管(89)的下方。