[发明专利]电荷泵电路、电荷泵电路的控制方法、芯片及电子装置

权利要求书

1.一种电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵电路包括电荷泵辅助模块、驱动模块、电荷泵模块、N型功率管、二极管Z2和二极管Z3；

所述电荷泵辅助模块与所述驱动模块连接，所述驱动模块与所述电荷泵模块连接，所述电荷泵模块与所述N型功率管的栅极连接，所述二极管Z2的负极连接在所述电荷泵模块与所述N型功率管的栅极之间，所述二极管Z2的正极与所述二极管Z3的正极连接，所述二极管Z3的负极与所述N型功率管的源极连接；

所述电荷泵辅助模块，用于输出高电平电压，为所述驱动模块提供驱动信号；

所述电荷泵模块，用于输出适用于薄栅氧化层工艺的驱动电压，以驱动所述N型功率管；

所述电荷泵辅助模块包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10、场效应管M11、场效应管M12、二极管Z1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、反相器I1、二极管D1、二极管D2和二极管D3；

所述场效应管M1的漏极接入信号VM，所述场效应管M3的漏极接入电源VCC，所述场效应管M4的栅极经由所述反相器I1接入信号COMP，所述场效应管M8的栅极、所述场效应管M9的栅极连接在所述信号COMP与所述反相器I1之间，所述场效应管M1的栅极与所述场效应管M2的栅极串接后与所述场效应管M11的漏极连接，所述场效应管M3的栅极与所述场效应管M4的漏极连接，所述电阻R1并联在所述场效应管M3的栅极和源极之间，所述场效应管M4的源极和所述场效应管M9的源极均连接至所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接至所述场效应管M5的漏极，所述场效应管M6的栅极与所述场效应管M7的栅极连接，所述场效应管M7的漏极与所述场效应管M8的源极连接，所述场效应管M8的漏极与所述场效应管M10的漏极连接，所述场效应管M10的栅极与所述场效应管M11的栅极连接，所述场效应管M11的漏极与所述场效应管M9的漏极连接，所述场效应管M12的源极和所述驱动模块均接于节点B，所述场效应管M12的栅极与漏极连接后连接于所述场效应管M2的漏极、节点A，所述电阻R3并联在所述场效应管M11的源极、漏极之间，所述二极管Z1的一端连接于所述节点A，所述二极管Z1的另一端连接所述场效应管M6的漏极，所述N型功率管的漏极连接在所述接入信号VM与所述二极管D1的正极之间，所述场效应管M1的源极与所述场效应管M2的源极连接，所述场效应管M3的源极与所述场效应管M12的漏极连接，所述场效应管M5、所述场效应管M6和所述场效应管M7的源极均接地，所述场效应管M5的栅极接入信号EN，所述场效应管M10的源极和所述场效应管M11的源极均连接在所述场效应管M1的源极和所述场效应管M2的源极之间；

所述二极管D1并联在所述场效应管M1上，所述二极管D2并联在所述场效应管M3上，所述二极管D3并联在所述场效应管M2上；

所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3均为独立二极管或场效应管内部自带的反并联二极管。

2.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，所述场效应管M6与所述场效应管M7连接组成电流镜结构，且宽长比为1:1；

所述场效应管M10与所述场效应管M11连接组成电流镜结构，且宽长比为1:N。

3.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，在所述信号VM的电压低于所述电源VCC的电压的情况下，所述信号COMP的电压为低电平，所述场效应管M3处于打开状态，所述场效应管M1和所述场效应管M2处于关闭状态，所述节点B的电压为：

V_B=VCC- V_DS3-V_GS12；

其中，所述V_B为所述节点B的电压，所述VCC为所述电源VCC的电压，所述V_DS3为所述场效应管M3的源极和漏极的压差，所述V_GS12为所述场效应管M12的栅极和源极的压差。