[发明专利]具有衬底集成部件的微电子封装

权利要求书

1.一种微电子封装，包括：

具有多个层的衬底；

与所述衬底的面耦合的管芯；

电感器，所述电感器定位在所述衬底中并且在所述管芯的管芯阴影内；以及

电磁干扰(EMI)屏蔽元件，所述电磁干扰(EMI)屏蔽元件定位在所述衬底内并且包围所述电感器。

2.根据权利要求1所述的微电子封装，其中，所述电感器包括定位在所述衬底的两个层中的金属元件。

3.根据权利要求1所述的微电子封装，其中，所述电感器包括所述封装衬底的第一层中的导电元件、所述封装衬底的第二层中的导电元件以及所述封装衬底的第三层中的导电元件，并且其中，所述第一层和所述第二层的所述导电元件通过沟槽过孔电耦合。

4.根据权利要求1所述的微电子封装，其中，所述EMI屏蔽元件包括所述衬底内的穿衬底过孔(TSV)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微电子封装，其中，所述EMI屏蔽元件还包围所述管芯。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的微电子封装，其中，所述管芯是功率放大器(PA)或声波谐振器(AWR)。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的微电子封装，其中，所述多个层包括第一子组的层，其中，所述第一子组的层中的各个层具有第一z高度，并且所述多个层包括第二子组的层，其中，所述第二子组的层中的各个层具有第二z高度。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的微电子封装，其中，所述微电子封装具有小于300微米(“micron”)的z高度。

9.一种用于射频(RF)前端模块(FEM)中的管芯，其中，所述管芯包括：

衬底；

与所述RF FEM的第一功能相关的第一子系统，其中，所述第一子系统与所述衬底耦合；

与所述RF FEM的第二功能相关的第二子系统，其中，所述第二子系统与所述衬底耦合；以及

沟槽过孔，所述沟槽过孔位于所述衬底中并且通信耦合到所述第一子系统和所述第二子系统。

10.根据权利要求9所述的管芯，其中，所述第一功能与功率放大器(PA)相关，并且所述第二功能与集成无源器件(IPD)、逻辑单元或开关相关。

11.根据权利要求9或10所述的管芯，其中，所述第一功能与谐振器相关，并且所述第二功能与滤波器相关。

12.根据权利要求9或10所述的管芯，其中，所述衬底包括所述衬底中的电感器，其中，所述电感器通信耦合到所述第一逻辑单元或所述第二逻辑单元。

13.根据权利要求12所述的管芯，其中，所述电感器被所述衬底中的过孔电磁屏蔽。

14.一种形成用于射频(RF)前端模块(FEM)中的微电子封装的方法，其中，所述方法包括：

在衬底中通过光刻方式限定迹线以形成电感器；

在衬底中通过光刻方式限定过孔以形成包围所述电感器的电磁屏蔽件；以及

将管芯与所述衬底耦合，使得所述电感器在所述管芯的管芯阴影中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述管芯包括与所述RF FEM的第一功能相关的子系统和与所述RF FEM的第二功能相关的子系统。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述管芯是声波谐振器(AWR)。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括将第二管芯与所述衬底耦合。