[发明专利]薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器

权利要求书

1.一种薄膜电极制造方法，其特征在于，包括：

采用物理气相沉积工艺制备所述薄膜电极，对预设金属靶材施加第一直流功率，并对基板施加第二射频功率，以开始工艺；所述预设金属靶材的材质为Ti；

在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击所述预设金属靶材，以在所述基板表面形成预设金属单质膜层；

在所述第一时长后的第二时长，通入反应气体和所述惰性气体的混合气体，其中，在通入所述混合气体的过程中，逐渐减小所述惰性气体的流量，同时逐渐增大所述反应气体的流量，以在所述预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与所述反应气体的化合物的混合过渡膜层；所述反应气体为N₂；

在所述第二时长后的第三时长，继续通入所述反应气体，同时停止输入所述惰性气体，以在所述混合过渡膜层上形成所述预设金属和所述反应气体的化合物膜层。

2.根据权利要求1所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，在对预设金属靶材施加第一直流功率，并对基板施加第二射频功率之前，还包括：

将所述基板传入处于真空态的工艺腔室，并加热至第一预设温度；

将所述惰性气体按照预设流量通入所述工艺腔室，并调整排气量将所述工艺腔室的压力控制在第一预设压力范围内。

3.根据权利要求2所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，在所述将所述基板传入处于真空态的工艺腔室之前，所述方法还包括：

将所述基板传入加热腔室，并将所述基板进行加热至第二预设温度；

向所述加热腔室内通入所述反应气体或所述惰性气体，以将所述加热腔室内的压力控制在第二预设压力范围内；

静置预设时长后，对所述加热腔室抽真空，以去除所述基板表面的可挥发性杂质。

4.根据权利要求1所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，所述逐渐减小所述惰性气体的流量，同时逐渐增大所述反应气体的流量，包括：

按照第一流量降低速率逐渐减小所述惰性气体的流量，同时按照第二流量增长速率逐渐增大所述反应气体的流量，所述第一流量降低速率等于所述第二流量增长速率。

5.根据权利要求4所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，所述第一流量降低速率为2-20sccm/s，所述第二流量增长速率为2-20sccm/s。

6.根据权利要求1所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，

所述预设金属单质膜层为Ti膜层；

所述化合物膜层为TiN膜层；

所述混合过渡膜层为N含量逐渐增加且Ti含量逐渐减少的Ti单质与TiN的混合物膜层。

7.根据权利要求2所述的薄膜电极制造方法，其特征在于，所述第一预设温度为200℃-300℃，所述预设流量为100-1000sccm，所述第一预设压力范围为100-200mTorr，所述第一直流功率为5000-15000W，所述第二射频功率为10-100W。

8.一种薄膜电极，其特征在于，采用如权利要求1-7任意一项所述的薄膜电极制造方法制成，所述薄膜电极包括：

预设金属单质膜层、所述预设金属与反应气体的化合物膜层以及位于所述预设金属单质膜层与所述化合物膜层之间的混合过渡膜层；

所述混合过渡膜层由预设金属单质和所述预设金属与所述反应气体的化合物的混合物组成，且沿所述预设金属单质膜层至所述化合物膜层的方向，所述混合过渡膜层中的所述化合物的含量逐渐增加，所述预设金属单质的含量逐渐减少。

9.根据权利要求8所述的薄膜电极，其特征在于，所述预设金属单质为Ti，所述化合物为TiN。

10.一种存储器，其特征在于，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的存储层，其中，所述底电极和/或所述顶电极为如权利要求8-9任意一项所述的薄膜电极。