[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。

技术领域

本公开涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

在作为一种衬底处理装置的半导体制造装置中，在实施成膜处理前或实施成膜处理后实施某些维护处理。在此，维护处理有除去炉内的副产物的处理、用于将炉内的环境维持在特定条件的吹扫处理等各种处理。近来，为了提高装置生产性(为了缩短装置停机时间)，自动执行维护处理的功能变得必需。

例如，在专利文献1中记载了：当监视对象的装置数据的当前值达到规定的条件时，产生警报，并且执行清洁制程程序(recipes)。另外，例如，在专利文献2中记载了：即使在成膜步骤前的准备步骤中产生错误，也在成膜步骤的开头步骤中进行错误处理。

然而，在当前值到达规定的阈值并自动执行维护处理时，成膜处理开始时的炉内状况有时会发生变化。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利2019-114783号公报

专利文献2：日本专利2015-162628号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本公开的目的在于提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个技术方案，提供一种具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在所述前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。

发明的效果

根据本公开的技术，能够使炉内的成膜前状况成为同一条件，能够得到成膜稳定性。

附图说明

图1是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的横剖视图的一例。

图2是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵剖视图的一例。

图3是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的纵剖视图的一例。

图4是说明在本公开的一实施方式中优选使用的控制器的功能结构的图。

图5是示出在本公开的一实施方式中优选使用的处理流程的图。

图6是在本公开的一实施方式中优选使用的维护项目的图示例。

图7是说明在本公开的一实施方式中优选使用的维护处理的图示例。

图8是示出图5的处理流程中的前处理工序的详细情况的图。

图9是示出在图8的前处理工序中维护处理判定工序的详细情况的图。

图10A是在一个作业中执行多次成膜处理的情况下的比较例。

图10B是示出在本公开的一实施方式中优选使用的一个作业中执行多次成膜处理的情况下的处理流程的图。

图11是示出在本公开的一实施方式中优选使用的处理流程的图。

附图标记的说明

10…衬底处理装置

具体实施方式

(衬底处理装置的概要)