[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法

说明书

本公开实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法。所述阵列基板包括：衬底基板；有源层，位于所述衬底基板的一侧，所述有源层包括：沟道区，位于所述沟道区一侧的导体化源区，以及位于所述沟道区另一侧的导体化漏区；金属层，位于所述有源层的背离所述衬底基板的一侧，所述金属层包括同层设置的栅极和信号线，所述栅极在垂直于所述衬底基板的厚度小于所述信号线在垂直于所述衬底基板的厚度。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法。

背景技术

顶栅型薄膜晶体管具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。而且顶栅型薄膜晶体管的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生不良的可能性也降低。由于顶栅型薄膜晶体管具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。

发明内容

本公开实施例提供一种阵列基板，其中，包括：

衬底基板；

有源层，位于所述衬底基板的一侧，所述有源层包括：沟道区，位于所述沟道区一侧的导体化源区，以及位于所述沟道区另一侧的导体化漏区；

金属层，位于所述有源层的背离所述衬底基板的一侧，所述金属层包括同层设置的栅极和信号线，所述栅极在垂直于所述衬底基板的厚度小于所述信号线在垂直于所述衬底基板的厚度。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：

栅极绝缘层，位于所述有源层与所述金属层之间，所述栅极绝缘层包括：第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部包括与所述栅极重合的第一重合部，以及由所述第一重合部延伸出的第一外延部，所述第二绝缘部包括与所述信号线重合的第二重合部，以及由所述第二重合部延伸出的第二外延部，所述第一外延部在第一方向上的长度大于所述第二外延部在垂直于所述信号线延伸方向上的长度，所述第一方向为所述导体化源区、所述导体化漏区中的一者指向另一者的方向。

在一种可能的实施方式中，所述金属层包括叠层设置的第一金属层和所述第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层的背离所述栅极绝缘层的一侧；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述栅极的厚度与所述第二金属层的厚度相同，所述信号线的厚度与所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和相同。

在一种可能的实施方式中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。

在一种可能的实施方式中，所述第一外延部在第一方向上的长度，与所述第二外延部在垂直于所述信号线延伸方向上的长度差值为0.1微米～1微米。

在一种可能的实施方式中，所述信号线包括以下之一或组合：

栅线；

电源线；

触控引线。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述有源层之间的缓冲层，位于所述缓冲层与所述衬底基板之间的遮光层，其中，所述遮光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括位于所述金属层的背离所述栅极绝缘层一侧的层间介质层，以及位于所述层间介质层的背离所述金属层一侧的源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极；

所述漏极通过贯穿所述层间介质层的第一通孔与所述导体化漏区导通，所述源极通过贯穿所述层间介质层的第二通孔与所述导体化源极导通，并通过贯穿所述层间介质层、所述缓冲层的第三通孔与所述遮光层导通。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括位于所述源漏极层的背离所述层间介质层一侧的钝化层。