[发明专利]导热结构及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种导热结构，其特征在于，包括

第一导热片，所述第一导热片上形成有多个毛细凹槽；以及

第二导热片，所述第二导热片密封连接于所述第一导热片，以使所述第一导热片上的多个所述毛细凹槽在所述第一导热片和所述第二导热片之间形成用于供导热流体流通的密封腔体，所述密封腔体具有蒸发吸热区、扩散区和冷凝放热区，所述蒸发吸热区用于对应发热源设置，以吸收发热源发出的热量，所述扩散区位于所述蒸发吸热区和所述冷凝放热区之间，所述扩散区用于将所述蒸发吸热区的热量扩散至所述冷凝放热区。

2.根据权利要求1所述的导热结构，其特征在于，所述扩散区在靠近所述蒸发吸热区的区域形成为空腔。

3.根据权利要求1所述的导热结构，其特征在于，位于所述扩散区的所述毛细凹槽的排列密度自靠近所述蒸发吸热区向远离所述蒸发吸热区的方向逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的导热结构，其特征在于，所述扩散区具有靠近所述蒸发吸热区的第一扩散区域和靠近所述冷凝放热区的第二扩散区域，所述第二扩散区域的宽度大于所述第一扩散区域的宽度。

5.根据权利要求4所述的导热结构，其特征在于，所述第一扩散区域的宽度为0.5mm-5mm，所述第二扩散区域的宽度为0.5mm-5mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的导热结构，其特征在于，所述第一导热片为长条片状，所述蒸发吸热区、扩散区和冷凝放热区沿所述第一导热片的长度方向依次设置。

7.根据权利要求1-5任一项所述的导热结构，其特征在于，在位于所述蒸发吸热区靠近所述扩散区的毛细凹槽、以及位于所述冷凝放热区靠近所述扩散区的毛细凹槽中，相邻的两毛细凹槽之间具有连通的沟槽。

8.根据权利要求1-5任一项所述的导热结构，其特征在于，所述毛细凹槽的深度大于或等于所述毛细凹槽的宽度。

9.根据权利要求8所述的导热结构，其特征在于，所述毛细凹槽的深度为30-200μm，所述毛细凹槽的宽度为20-200μm。

10.根据权利要求1-5任一项所述的导热结构，其特征在于，所述毛细凹槽的截面形状为倒三角形、倒梯形、长方形、正方形、圆形或椭圆形。

11.一种导热结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供第一导热片，在所述第一导热片上形成多个毛细凹槽；

将第二导热片密封连接于所述第一导热片，以使所述第一导热片上的多个所述毛细凹槽在所述第一导热片和所述第二导热片之间形成用于供导热流体流通的密封腔体；

其中，所述密封腔体具有蒸发吸热区、扩散区和冷凝放热区，所述蒸发吸热区用于对应发热源设置，以吸收发热源发出的热量，所述扩散区位于所述蒸发吸热区和所述冷凝放热区之间，所述扩散区用于将所述蒸发吸热区的热量扩散至所述冷凝放热区。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述毛细凹槽采用微蚀刻工艺形成于所述第一导热片上。

13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括发热源以及如权利要求1-10任一项所述的导热结构，所述导热结构与所述发热源连接以对所述发热源进行散热。