[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011020940.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256412A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郭致玮 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，包含：
电阻式随机存取存储器(RRAM)；
第一间隙壁结构，位于该电阻式随机存取存储器的两侧；
第二间隙壁结构，位于该第一间隙壁结构的外侧，其中该第二间隙壁结构包含有金属材料或是金属氧化物材料；以及
第三间隙壁结构，位于该第二间隙壁结构的外侧。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一间隙壁结构的材质包含氮化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第三间隙壁结构的材质包含氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二间隙壁结构的材料包含有钛、氮化钛、氧化钛、钽、氮化钽、氮化铝、氧化铝。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有接触结构，位于该电阻式随机存取存储器的顶面，并且与该电阻式随机存取存储器电连接。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器的该顶面以及该第二间隙壁结构的顶面彼此相互齐平。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器的该顶面低于该第二间隙壁结构的顶面。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中沿着一垂直方向来看，该第二间隙壁结构覆盖于部分该第一间隙壁结构的上方。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第二间隙壁结构覆盖于该第一间隙壁结构的一部分厚度介于20纳米至60纳米之间。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有介电层，覆盖于该第三间隙壁结构上，其中该介电层的材质包含超低介电常数材料。
11.一种半导体结构的制作方法，包含：
提供电阻式随机存取存储器(RRAM)；
形成第一间隙壁结于该电阻式随机存取存储器的两侧；
形成第二间隙壁结构于该第一间隙壁结构的外侧，其中该第二间隙壁结构包含有金属材料或是金属氧化物材料；以及
形成第三间隙壁结构于该第二间隙壁结构的外侧。
12.如权利要求11所述的制作方法，其中该第一间隙壁结构的材质包含氮化硅。
13.如权利要求11所述的制作方法，其中该第三间隙壁结构的材质包含氧化硅。
14.如权利要求11所述的制作方法，其中该第二间隙壁结构的材料包含有钛、氮化钛、氧化钛、钽、氮化钽、氮化铝、氧化铝。
15.如权利要求11所述的制作方法，其中还包含形成接触结构于该电阻式随机存取存储器的顶面，并且与该电阻式随机存取存储器电连接。
16.如权利要求11所述的制作方法，其中该电阻式随机存取存储器的该顶面以及该第二间隙壁结构的顶面彼此相互齐平。
17.如权利要求11所述的制作方法，其中该电阻式随机存取存储器的该顶面低于该第二间隙壁结构的顶面。
18.如权利要求11所述的制作方法，其中沿着一垂直方向来看，该第二间隙壁结构覆盖于部分该第一间隙壁结构的上方。
19.如权利要求18所述的制作方法，其中该第二间隙壁结构覆盖于该第一间隙壁结构的一区域的厚度介于20纳米至60纳米之间。
20.如权利要求11所述的制作方法，其中还包含形成介电层，覆盖于该第三间隙壁结构上，其中该介电层的材质包含超低介电常数材料。
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