[发明专利]一种薄膜体声波谐振滤波器在审

专利信息
申请号: 202011021256.2 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112165310A 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 穆罕默德·麦蒙;周攀;林福江 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振 滤波器
【说明书】:

发明公开了一种薄膜体声波谐振滤波器,具有高的品质因数(Q)和高的机电耦合系数(Kt2),满足高频通信系统的要求。该薄膜体声波谐振滤波器包括顶部电极边缘处台阶、顶部电极、压电薄膜、底部电极、带有空气背腔的绝缘支撑层。本发明在顶部电极边缘处设计了第一台阶、第二台阶和第三台阶,用于反射兰姆波(Lamb waves)。通过对顶部各级台阶长度、宽度、厚度的设计,对寄生谐振具有最佳的抑制效果,有效消除了薄膜体声波谐振滤波器的相位响应中的纹波。通过优化设计,该薄膜体声波谐振滤波器具有高的品质因数(Q),高的机电耦合系数低的寄生谐振和平坦的相位响应特性,使得该发明可以应用于低噪声滤波器和其他射频应用。

技术领域

本发明属于高频通信滤波器材技术领域,具体涉及一种薄膜体声波谐振滤波器。

背景技术

近几十年,无线通信技术得到了蓬勃的发展,通信系统对于通信质量提出进一步的要求。滤波器是用来分离不同频率的一种器件,它能够抑制不需要的信号频率而只让所需要的频率信号通过,在通信系统的发射端和接收端起着非常重要的作用。

薄膜体声波谐振滤波器通常用于实现体积小、质量轻的滤波器。薄膜体声波谐振器滤波器可以以低成本大批量生产,同时具有高的品质因数(Q)和高的机电耦合系数(Kt2)。

薄膜体声波谐振器通常由底层电极、压电薄膜和顶层电极依次层叠构成。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜体声波谐振滤波器,旨在解决现有技术中滤波器寄生谐振严重、相位响应特性差的问题。本发明对薄膜体声波谐振器FBAR结构做精确的设计仿真,确定合适的尺寸。本发明对顶部电极边缘的三级台阶逐级设计仿真优化,最终获得最优尺寸。本发明的薄膜体声波谐振滤波器具有品质因数高,带内相位响应平坦的优点。该薄膜体声波谐振滤波器可以应用在射频通信系统中。

为了解决现有技术存在的问题,本发明提供的技术方案为:

一种薄膜体声波谐振滤波器,包括基底5、绝缘支撑层4、底部电极3、压电薄膜2、顶部电极1、顶部台阶。其中,从上到下依次为顶部电极1、压电薄膜2、底部电极3、绝缘支撑层4、基底5;顶部电极1上方从外到内依次为顶部第一台阶S1、第二台阶S2和第三台阶S3。顶部电极1和底部电极3作为施加电能的上下电极,压电薄膜2作为谐振单元产生谐振,绝缘支撑层4为上部结构提供支撑,基底5为硅材料衬底,顶部电极1上方台阶用以抑制寄生谐振。

其中,所述基底5为硅材料衬底。

其中,所述绝缘支撑层4为底部带有空气背腔的绝缘支撑层,使用氮化硅作为绝缘支撑层。

其中,所述底部电极3为压电薄膜的下电极,使用钼作为电极。

其中,所述压电薄膜2为使用氮化铝制作的压电薄膜材料。

其中,所述顶部电极1为压电薄膜的上电极,使用钼作为电极。

其中,所述顶部台阶包括第一台阶S1、第二台阶S2、第三台阶S3使用和顶部电极1相同的钼材料。

其中,通过施加到顶部电极1和底部电极3的电能而在压电薄膜层2中诱发电场,并且随后通过诱发的电场而在压电薄膜层2中产生压电现象,从而使得谐振单元在预定方向上振动,可在与谐振单元的方向相同的方向上产生体声波,从而产生谐振。

其中,顶部三级台阶结构作为声布拉格反射器,用以反射兰姆波(Lamb waves)。

其中,顶部三级台阶结构,将兰姆波(Lamb waves)限制在台阶区域之中,有效抑制了寄生谐振。

相比现有技术,本发明具有以下有益效果:

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