[发明专利]一种GIL局部放电源定位方法和系统有效

专利信息
申请号: 202011021369.2 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112147470B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 臧奕茗;钱勇;王辉;李泽;舒博;盛戈皞;江秀臣 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 上海东信专利商标事务所(普通合伙) 31228 代理人: 杨丹莉;李丹
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 gil 局部 电源 定位 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种GIL局部放电源定位方法,其特征在于,包括步骤:

(1)建立与实际GIL尺寸完全相同的仿真模型,并对所述仿真模型的局部放电源进行光学信号仿真,以构建局部放电仿真指纹库Ψ;其中步骤(1)包括:

(a)在所述仿真模型中选取N个点模拟局部放电源的位置;

(b)采用M个仿真探测点对各局部放电源的光辐照度进行采集;

(c)将各仿真探测点的局部放电信号互相相减,以得到两个仿真探测点之间的光辐照度差值δ′h,j

其中,D表示相减后的局部放电仿真指纹的维数,和分别表示仿真探测点a和b采集到的位于第j个位置的局部放电源所散发的光辐照度,M对应于M个仿真探测点,Z表示正整数;

(d)将同一个局部放电源的所有光辐照度差值进行归一化处理,得到归一化处理后的光伏照度值δh,j

(e)采用主成分分析特征提取算法,对N个向量[δ1,j2,j,…,δD,j]T提取P个主成分来作为局部放电仿真指纹列向量

(f)将所有的局部放电仿真指纹列向量Ψj组合,构建光学局部放电仿真指纹库Ψ:

其中,P对应上述P个主成分,以表示仿真指纹的维度,并且PD;N对应上文所述的N个点,以表示仿真局部放电源的数量,j=1,2,……N;

(2)拟合出GIL中所有位置的局部放电指纹,以将所述光学局部放电仿真指纹库Ψ扩展为Ψ’;

(3)构建Bagging-KELM模型,所述Bagging-KELM模型具有若干个基分类器,采用Bagging算法对扩展后的光学局部放电仿真指纹库Ψ’进行重新采样,以获得随机选择的若干个子指纹库,所述若干个子指纹库与若干个基分类器对应,采用各子指纹库对各基分类器进行训练,以使得每一个基分类器均输出局部放电源的位置坐标,所述Bagging-KELM模型的输出为各基分类器输出的局部放电源的位置坐标的平均值;

(4)将实际检测到的GIL局部放电的光学指纹输入到经过训练的Bagging-KELM模型中,以输出得到实际局部放电源的位置。

2.如权利要求1所述的GIL局部放电源定位方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,采用双调和样条插值法拟合出GIL中所有位置的局部放电指纹。

3.如权利要求1所述的GIL局部放电源定位方法,其特征在于,所述基分类器的数量为10个。

4.如权利要求1所述的GIL局部放电源定位方法,其特征在于,在所述步骤(4)中,采用光学传感器获得GIL局部放电的光学指纹。

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