[发明专利]一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器及制作方法

权利要求书

1.一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，应用于人体穿戴设备中，实现光电检测，其特征在于：所述柔性光电探测器包括柔性基板（1）、硒化银量子点层（2）、以及两根电极（3）；其中，硒化银量子点层（2）固定覆盖设置于柔性基板（1）的上表面，硒化银量子点层（2）用于实现光吸收；两根电极（3）分别穿过硒化银量子点层（2）、并设置于柔性基板（1）的上表面，硒化银量子点层（2）与两根电极（3）相对接，各根电极（3）上的底端分别与柔性基板（1）上表面固定对接，两根电极（3）之间保持预设间距，各根电极（3）顶端的高度均不低于硒化银量子点层（2）上表面高度。

2.根据权利要求1所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，其特征在于：还包括位于所述柔性基板（1）与所述硒化银量子点层（2）之间的石墨烯层（4-1），石墨烯层（4-1）固定覆盖设置于柔性基板（1）的上表面，硒化银量子点层（2）固定覆盖设置于硒化银量子点层（2）的上表面，所述两根电极（3）分别依次穿过硒化银量子点层（2）与石墨烯层（4-1）、并设置于柔性基板（1）的上表面，石墨烯层（4-1）与硒化银量子点层（2）分别均与两根电极（3）相对接。

3.根据权利要求1所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，其特征在于：还包括位于所述柔性基板（1）与所述硒化银量子点层（2）之间的二硫化钼层（4-2），二硫化钼层（4-2）固定覆盖设置于柔性基板（1）的上表面，硒化银量子点层（2）固定覆盖设置于硒化银量子点层（2）的上表面，所述两根电极（3）分别依次穿过硒化银量子点层（2）与二硫化钼层（4-2）、并设置于柔性基板（1）的上表面，二硫化钼层（4-2）与硒化银量子点层（2）分别均与两根电极（3）相对接。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，其特征在于：所述两根电极（3）底端分别与所述柔性基板（1）上表面相对接的位置，分别位于柔性基板（1）上表面彼此相对的两侧边缘位置。

5.根据权利要求4所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，其特征在于：所述柔性基板（1）为聚乙烯对苯二甲酸酯基板。

6.根据权利要求4所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器，其特征在于：所述两根电极（3）均为金电极。

7.一种针对权利要求2或3所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A. 应用高温热分解法制备硒化银量子点，然后进入步骤B；

步骤B. 在柔性基板（1）上表面制备两根电极（3），然后进入步骤C；

步骤C. 将硒化银量子点分散到甲苯溶液中，并将含有硒化银量子点的甲苯溶液旋涂到柔性基板（1）的上表面，构成硒化银量子点层（2）。

8.根据权利要求7所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器的制作方法，其特征在于：还包括步骤AB和步骤BC分别如下，其中，执行完步骤A后，进入步骤AB；执行完步骤B后，进入步骤BC；

步骤AB. 应用CVD法在铜基板上生长石墨烯或者二硫化钼，然后进入步骤B；

步骤BC. 应用湿法转移方式，将所获得的石墨烯或者二硫化钼转移到柔性基板（1）的上表面，构成石墨烯层（4-1）或者二硫化钼层（4-2），然后进入步骤C；

所述步骤C中，将含有硒化银量子点的甲苯溶液旋涂到所构建的石墨烯层（4-1）上表面或者二硫化钼层（4-2）上表面，构成硒化银量子点层（2）。

9.根据权利要求7或8所述一种基于硒化银量子点的柔性光电探测器的制作方法，其特征在于：所述步骤B中，应用电子束热蒸发法和剥离工艺在柔性基板（1）上表面制备两根电极（3）。