[发明专利]非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法及装置有效
申请号: | 202011023348.4 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112081583B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 曾凡辉;郭建春;张宇;张蔷 | 申请(专利权)人: | 西南石油大学 |
主分类号: | E21B49/00 | 分类号: | E21B49/00;E21B43/26;E21B43/267;G06F30/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 单晓双;董骁毅 |
地址: | 610500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 常规 储层缝网压裂多 尺度 支撑 产量 计算方法 装置 | ||
1.一种非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,包括:
根据非常规储层的非均质物性参数、缝网参数差异性参数、有机孔的解吸附参数、所述有机孔的表面扩散效应参数、无机孔的水膜修正参数、所述无机孔的应力敏感修正参数、所述有机孔的应力敏感修正参数、真实气体效应修正参数以及缝网分形渗透率特征参数,生成压裂水平井基质区渗流模型;
根据非常规储层的缝网分形渗透率、缝网表皮化参数、缝宽楔形变化参数、人工主裂缝参数、主裂缝缝内流动参数、天然气在裂缝中的无限导流参数以及非均匀流入参数生成压裂主裂缝缝内流动模型;
根据缝网非均质参数、产能非稳态参数,将所述水平井基质区渗流模型与所述主裂缝缝内流动模型进行耦合,以生成水平井产量模型;
所述根据非常规储层的非均质物性参数、缝网参数差异性参数、有机孔的解吸附参数、所述有机孔的表面扩散效应参数、无机孔的水膜修正参数、所述无机孔的应力敏感修正参数、所述有机孔的应力敏感修正参数、真实气体效应修正参数以及缝网分形渗透率特征参数,生成压裂水平井基质区渗流模型,包括:
基于所述压裂水平井物理模型,根据预生成的基质表观渗透率模型、缝网渗透率模型以及基质压降模型生成所述压裂水平井基质区渗流模型;
所述根据非常规储层的缝网分形渗透率、缝网表皮化参数、缝宽楔形变化参数、人工主裂缝参数、主裂缝缝内流动参数、天然气在裂缝中的无限导流参数以及非均匀流入参数生成压裂主裂缝缝内流动模型,包括:
基于所述压裂水平井物理模型,根据预生成的缝宽楔形模型、主裂缝缝内高速非达西压降模型、主裂缝缝内流动模型以及主裂缝渗透率生成压裂主裂缝缝内流动模型;
所述缝网参数差异性参数包括:缝网宽度、裂缝面渗透率、缝网分形渗透率、缝网分形维数、扩散指数、缝网改造区不同位置距主裂缝面距离以及裂缝面渗透率;
缝网分形渗透率特征参数包括:缝网分形维数、扩散指数、缝网改造区不同位置距主裂缝面距离以及裂缝面渗透率;
所述缝网表皮化参数为改造区总表皮系数。
2.根据权利要求1所述的非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,还包括:根据所述非常规储层
的基质区、缝网改造区以及井筒区生成压裂水平井物理模型。
3.根据权利要求2所述的非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,生成所述基质表观渗透率模型的步骤包括:
利用修正Hagen-Poiseuille型方程,根据所述解吸附参数、所述应力敏感修正参数、所述真实气体效应修正参数以及所述表面扩散效应参数生成所述非常规储层气体流动通道中有机孔的基质有机孔流量方程;
根据水膜修正参数、所述应力敏感修正参数以及所述真实气体效应修正参数生成所述非常规储层气体流动通道中无机孔的基质无机孔流量方程;
利用广义达西定律,根据所述基质有机孔流量方程以及所述基质无机孔流量方程生成所述基质表观渗透率模型。
4.根据权利要求2所述的非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,生成所述缝网渗透率模型的步骤包括:
利用多裂缝宽度分布分形方法,根据所述缝网改造区距主裂缝面的距离,生成所述缝网渗透率模型。
5.根据权利要求2所述的非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,生成所述基质压降模型的步骤包括:
根据所述缝网表皮化参数生成所述缝网改造区产生的附加压降;
根据所述附加压降生成基质渗流模型;
利用点源压力响应方法,根据所述基质渗流模型生成所述基质压降模型。
6.根据权利要求5所述的非常规储层缝网压裂多尺度支撑产量计算方法,其特征在于,生成所述缝宽楔形模型的步骤包括:
基于水力主裂缝宽度由井筒到裂缝尖端方向缝宽变化特征,生成所述缝宽楔形模型,所述缝宽楔形模型中缝宽沿缝长方向逐渐变化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南石油大学,未经西南石油大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011023348.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。