[发明专利]用于处理基板的设备和用于将处理液分配到基板上的方法

说明书

本发明构思涉及一种用于处理基板的设备。所述设备包括基板支撑单元，其支撑所述基板；喷嘴单元，其将处理液分配到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上；以及液体供应单元，其将所述处理液供应到所述喷嘴单元。所述液体供应单元包括主供应线，其连接到所述喷嘴单元并将所述处理液供应到所述喷嘴单元；第一DIW供应线，其连接到所述主供应线并在第一温度下供应DIW；第二DIW供应线，其连接到所述主供应线并在高于所述第一温度的第二温度下供应DIW；以及化学制品供应线，其连接到所述主供应线并供应化学制品。所述设备还包括控制单元，所述控制单元通过调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的流量来调节所述处理液的温度。

技术领域

本文所述的本发明构思的实施例涉及用于处理基板的设备和用于分配处理液的方法。

背景技术

通常，通过对诸如硅片的基板执行各种工艺(例如，光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺等)来形成半导体元件。

各种处理液可用于相应的工艺中。例如，处理液可用于在光工艺中用光致抗蚀剂涂覆基板的工艺中，或用于在工艺之前和之后去除粘附到基板的各种类型的污染物的清洁工艺中。

发明内容

本发明构思的实施例提供用于有效地处理基板的基板处理设备和处理液分配方法。

此外，本发明构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于在没有单独的加热器的情况下通过调节高温DIW和室温DIW的比率来控制处理液的温度。

此外，本发明构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于即使在内部和外部环境引起的温度变化的情况下也提高温度可靠性。

此外，本发明构思的实施例提供基板处理设备和处理液分配方法，用于提高基板的均匀性。

有待由本发明构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题，且发明构思所属的本领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据示例性实施例，用于处理基板的设备包括基板支撑单元，其支撑所述基板；喷嘴单元，其将处理液分配到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上；以及液体供应单元，其将所述处理液供应到所述喷嘴单元。所述液体供应单元包括主供应线，其连接到所述喷嘴单元并将所述处理液供应到所述喷嘴单元；第一DIW供应线，其连接到所述主供应线并在第一温度下供应DIW；第二DIW供应线，其连接到所述主供应线并在高于所述第一温度的第二温度下供应DIW；以及化学制品供应线，其连接到所述主供应线并供应化学制品。所述设备还包括控制单元，所述控制单元通过调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的流量来调节所述处理液的温度。

在一个实施例中，所述主供应线可设置有温度计，所述温度计测量所述处理液的所述温度，并且所述控制单元可基于由所述温度计测量的所述处理液的所述温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。

在一个实施例中，所述设备还可包括温度检测构件，其测量支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的温度，并且所述控制单元可基于在分配所述处理液的同时由所述温度检测构件测量的所述基板的所述温度来调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。

在一个实施例中，可取决于时间而不同地设置在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量。

在一个实施例中，所述温度检测构件可检测正在被处理的第一基板的表面温度被检测为相对较高的位置和时间，并且在第二基板的处理中，所述控制单元可调节在所述第一温度下的所述DIW或在所述第二温度下的所述DIW的所述流量以降低在所述位置和所述时间由所述喷嘴单元分配的所述处理液的所述温度。

在一个实施例中，可通过增加在所述第一温度下的所述DIW的所述流量或降低在所述第二温度下的所述DIW的所述流量来降低所述处理液的所述温度。