[发明专利]一种深紫外LED封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外LED封装结构，包括陶瓷基板(1)、玻璃盖板(2)和LED芯片(3)，其特征在于，所述陶瓷基板(1)安装有若干个LED芯片(3)，所述玻璃盖板(2)贴合在所述陶瓷基板(1)装有所述LED芯片(3)一侧；所述玻璃盖板(2)设置有容纳所述LED芯片(3)的凹槽(4)，所述凹槽(4)的内表面与所述LED芯片(3)的边缘贴合或留有间隙。

2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述凹槽(4)在所述玻璃盖板(2)上阵列式分布，所述凹槽(4)的数量与所述LED芯片(3)的数量一致，每个所述凹槽(4)容纳一个所述LED芯片(3)。

3.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述凹槽(4)的内表面的长宽深是所述LED芯片(3)的长宽高的1-1.3倍。

4.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板(1)为平板状，所述LED芯片(3)均安装于所述陶瓷基板(1)的平面上。

5.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板(1)装有所述LED芯片(3)的一侧涂覆有一层用于连接所述玻璃盖板(2)的粘连材料(5)。

6.根据权利要求5所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述玻璃盖板(2)的边缘与所述陶瓷基板(1)的边缘连接。

7.根据权利要求6所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述粘连材料(5)为硅胶或者胶黏剂。

8.一种深紫外LED封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤一：在陶瓷基板(1)的平面上印刷电路；

步骤二：将若干个LED芯片(3)装在陶瓷基板(1)上，并与所述印刷电路形成电气连接；

步骤三：在玻璃盖板(2)上加工出与所述LED芯片(3)一一对应的凹槽(4)，所述凹槽(4)的大小与所述LED芯片(3)的大小一致或略大于所述LED芯片(3)；

步骤四：将所述玻璃盖板(2)扣压在所述陶瓷基板(1)，所述LED芯片(3)装入所述凹槽(4)内，所述玻璃盖板(2)与所述陶瓷基板(1)的平面贴合在一起。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，通过刻蚀或纳米压印在所述玻璃盖板(2)上加工出所述凹槽(4)。

10.根据权利要求8所述的深紫外LED封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述玻璃盖板(2)的平面边缘与所述陶瓷基板(1)的平面边缘贴合在一起。