[发明专利]一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：

S1：对GaAs单结电池片进行清洗干净，形成GaAs底电池；

S2：用氮气枪对清洗干净的GaAs底电池进行吹干，再放入磁控溅射设备中进行磁控溅射，溅射一层中间传输层；

S3：将溅射有中间传输层的GaAs底电池放入手套箱中，使用匀胶机，在中间传输层上依次形成空穴传输层、FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃钙钛矿层、第一电子传输层、缓冲层；

S4：使用蒸镀机，在缓冲层上蒸镀一层第二电子传输层，再使用热蒸镀设备，在第二电子传输层上蒸镀一层背电极。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，所述FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃钙钛矿层中的FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃的制备方法为：在手套箱中分别称取137.58mgFAI、41.57mg CSI、6.36mg MAI、115.25mg PbI₂、275.26mgPbBr₂，然后进行混合，再加入750mlDMF和250mlDMSO，充分搅拌后，所得。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层采用静态旋涂方式；所述FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃钙钛矿层采用先静态旋涂再动态旋涂的结合旋涂方式；所述第一电子传输层采用动态旋涂方式；所述缓冲层采用静态旋涂方式。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层为PTAA层；所述第一电子传输层为PCBM层；所述缓冲层为BCP层。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的具体旋涂方式为：将PTAA溶液滴在中间传输层表面，使PTAA溶液均匀铺散开后，采用4000转旋涂30秒，旋涂完成后，再放置已加热至100℃的热台中，退火10min。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，所述FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃钙钛矿层的具体旋涂方式为：先将120ul的DMF滴至空穴传输层表面，使DMF分散均匀并采用4000转旋涂10秒，再将配置好的FA_0.8Cs_0.16MA_0.04Pb(I_0.5Br_0.5)₃溶液均匀分散在旋涂有DMF的空穴传输层表面，采用1000转旋涂2秒，4000转旋涂30秒，并且在旋涂30秒中的最后8s时将120ul的氯苯滴下，旋涂完成后，再放置在热台上进行65℃退火5分钟后，再转为100℃退火。