[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个存储器单元当中的被选存储器单元执行编程操作；

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路的操作，

其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以对所述被选存储器单元当中的要被编程为高编程状态的第一存储器单元执行预编程操作，并且在所述预编程操作之后对所述被选存储器单元执行正常编程操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述预编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以向与所述第一存储器单元联接的每条位线施加编程使能电压，向与所述被选存储器单元当中除了所述第一存储器单元之外的第二存储器单元联接的每条位线施加编程禁止电压，并且向与所述被选存储器单元联接的被选字线施加预编程脉冲。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述编程使能电压是低于所述编程禁止电压的电压。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得在向所述被选字线施加所述预编程脉冲的同时向未选字线施加编程通过电压。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得在向所述被选字线施加所述预编程脉冲的同时，向与所述被选字线相邻设置的第一未选字线施加第一编程通过电压，并且向除了所述第一未选字线之外的第二未选字线施加第二编程通过电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一编程通过电压的电压电平大于所述第二编程通过电压的电压电平。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个存储器单元中的每一个包括被配置为存储2比特数据的多级单元，并且每个所述被选存储器单元被编程为具有与擦除状态以及第一编程状态至第三编程状态中的任何一个相对应的阈值电压，并且

其中，所述高编程状态包括所述第三编程状态。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个存储器单元中的每一个包括被配置为存储2比特数据的多级单元，并且每个所述被选存储器单元被编程为具有与擦除状态、第一编程状态、第二编程状态和第三编程状态中的任何一个相对应的阈值电压，并且

其中，所述高编程状态包括所述第二编程状态和所述第三编程状态。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个存储器单元中的每一个包括被配置为存储3比特数据的三级单元，并且每个所述被选存储器单元被编程为具有与擦除状态以及第一编程状态至第七编程状态中的任何一个相对应的阈值电压，并且

其中，所述高编程状态包括所述第七编程状态。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个存储器单元中的每一个包括被配置为存储3比特数据的三级单元，并且每个所述被选存储器单元被编程为具有与擦除状态以及第一编程状态、第二编程状态、第三编程状态、第四编程状态、第五编程状态、第六编程状态、第七编程状态中的任何一个相对应的阈值电压，并且

其中，所述高编程状态包括所述第六编程状态和所述第七编程状态。

11.一种操作包括多个存储器单元的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

对所述多个存储器单元当中的被选物理页中包括的至少一些存储器单元执行预编程操作；以及

对所述被选物理页中包括的存储器单元执行正常编程操作。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，执行所述预编程操作的步骤包括：对所述被选物理页中包括的所述存储器单元当中的要被编程为高编程状态的存储器单元进行预编程。