[发明专利]微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法

说明书

本发明公开了一种微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法。微发光二极管包括：第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；发光层，位于第一掺杂类型半导体层的第二区域上；第二掺杂类型半导体层，位于发光层上；以及第一凸出电极和第二凸出电极，第一凸出电极位于第一区域并与第一掺杂类型半导体层电连接，第二凸出电极位于第二区域并与第二掺杂的类型半导体层电连接，其中，第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。根据本发明实施例的微发光二极管，能够提高微发光二极管与基板绑定连接时的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种微发光二极管(Micro Light EmittingDiode，Micro-LED)及其制作方法，显示面板的制作方法。

背景技术

随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的微发光二极管(MicroLight Emitting Diode，Micro-LED)技术具有显著的性能优势，越来越引起人们的广泛关注。Micro-LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势。

Micro-LED显示面板在制作过程中，需要将制作完成的Micro-LED发光元件绑定(bonding)连接在待接收发光元件的基板上，然而，随着Micro-LED发光元件尺寸逐渐缩小，热压绑定连接的过程中容易由于热失配导致Micro-LED发光元件偏离预先设定的位置。

发明内容

本发明提供一种微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法，提高微发光二极管与基板绑定连接时的稳定性。

第一方面，本发明实施例提供一种微发光二极管，其包括：第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；发光层，位于第一掺杂类型半导体层的第二区域上；第二掺杂类型半导体层，位于发光层上；以及第一凸出电极和第二凸出电极，第一凸出电极位于第一区域并与第一掺杂类型半导体层电连接，第二凸出电极位于第二区域并与第二掺杂的类型半导体层电连接，其中，第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。

根据本发明第一方面的前述实施方式，插接部呈垂直于第一掺杂类型半导体层延伸的片状。

根据本发明第一方面的前述任一实施方式，插接部包括第一侧面，第一侧面垂直于第一掺杂类型半导体层设置。

根据本发明第一方面的前述任一实施方式，第一凸出电极的第一侧面与第二凸出电极的第一侧面相互平行且相向设置。

根据本发明第一方面的前述任一实施方式，插接部包括远离第一掺杂类型半导体层的插接端，插接部在垂直于第一侧面上的厚度，自插接端向第一掺杂类型半导体层的方向递增。

根据本发明第一方面的前述任一实施方式，插接部的垂直于第一侧面的厚度在0.2微米至2微米。

根据本发明第一方面的前述任一实施方式，插接部沿垂直于第一掺杂类型半导体层方向上的长度为3微米至10微米。