[发明专利]一种超宽频ToF传感器有效

专利信息
申请号: 202011026287.7 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112130160B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 卢庆德;林映庭;苏启雄 申请(专利权)人: 盛泰光电科技股份有限公司
主分类号: G01S17/08 分类号: G01S17/08;G01S7/481
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 康奇刚
地址: 400900 重庆市双桥*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽频 tof 传感器
【权利要求书】:

1.一种超宽频ToF传感器,包括处理单元、驱动单元、发射单元、截止单元;

其特征在于,还包括锗硅传感器;

处理单元分别与驱动单元和锗硅传感器信号连接,处理单元用于根据预设的激光发射数据向驱动单元发送驱动信号;

驱动单元与发射单元信号连接,驱动单元用于在接收到驱动信号后,驱动发射单元发射激光;发射单元发射激光的波长范围为850-1550nm;

截止单元用于对反射的激光进行滤波;所述截止单元用于过滤波长1310nm激光;

锗硅传感器用于采集滤波后的激光,生成激光接收数据;

处理单元还用于根据激光发射数据和激光接收数据计算被测目标的距离;

其中,锗硅传感器采集激光的波长范围为850nm-1550nm;通过判断当前环境是室外还是室内,人是否面对传感器,以及室外环境光线是否高于预设亮度,综合判断是否能够优先采用850-1309nm的波长范围;在激光对人体产生危害,或者被阳光干扰的情况时使用1310-1550nm的波长;

当人处于背对传感器状态时,通过将当前环境音与平均分贝相比并判断是否超过阈值的方式,检测人是否转身导致人面对传感器,若检测到,则将背对传感器状态修改为面对传感器状态。

2.根据权利要求1所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:所述锗硅传感器包括基底,基底上设置有锗硅半导体层,锗硅半导体层上设置有若干晶体管。

3.根据权利要求2所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:锗硅传感器还包括微距镜,微距镜固定在晶体管上方。

4.根据权利要求3所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:晶体管包括放大器晶体管、列线晶体管和复位晶体管。

5.根据权利要求4所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:还包括波束成形透镜和接收透镜;波束成形透鏡用于对发射的激光进行束波;接收透镜用于接收被测目标反射的激光。

6.根据权利要求5所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:所述驱动单元采用LED驱动器。

7.根据权利要求6所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:所述发射单元发射激光的频率大于300MHz。

8.根据权利要求7所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:所述截止单元采用红外截止滤波片。

9.根据权利要求8所述的超宽频ToF传感器,其特征在于:所述红外截止滤波片用于过滤波长940nm激光。

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