[发明专利]监测光刻机漏光情况的方法

权利要求书

1.一种监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，包括：

对一测试晶圆进行正常投影曝光以形成m个正常投影区域；在正常投影曝光的过程中间隔加入n次超高能投影曝光，形成n个超高能投影区域，第n次超高能投影曝光的过程中光刻机内部的杂散光会对与第n个超高能投影区域相邻的正常投影区域或超高能投影区域产生一次漏光影响；定义仅受到一次漏光影响的所述正常投影区域为待检测区域，所述测试晶圆上的任意一个超高能投影区域至少与一个所述待检测区域相邻；监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况，判断光刻机是否漏光并测算漏光的严重程度，其中，m≥n≥1，m、n均为整数。

2.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，任意一次所述超 高能投影曝光的曝光强度均不相同。

3.如权利要求2所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，所述超 高能投影曝光的曝光强度依次增大。

4.如权利要求3所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，所述超高能投影曝光的曝光强度是正常投影曝光的曝光强度的5倍、10倍、15倍或20倍。

5.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸变化情况的过程包括：将所述待检测区域的图案与设计版图图案进行对比，判断所述待检测区域上图案的形貌及特征尺寸是否发生变化。

6.如权利要求5所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，判断所述光刻机是否漏光的方法包括：若所述待检测区域上图案的形貌及特征尺寸与所述设计版图图案的形貌及特征尺寸完全相同，则所述光刻机不存在漏光情况；若存在差异，则所述光刻机漏光。

7.如权利要求6所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，判断所述光刻机漏光严重程度的方法包括：测量所述待检测区域上图案的特征尺寸，并与所述设计版图图案的特征尺寸进行对比，所述待检测区域上图案的特征尺寸与所述设计版图图案的特征尺寸的差值越大，所述光刻机的漏光情况越严重。

8.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，采用目检或利用电镜监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况。

9.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，采用所述监测光刻机漏光情况的方法对漏光情况已知的光刻机进行监测，根据监测结果建立数据库。

10.如权利要求1所述的监测光刻机漏光情况的方法，其特征在于，所述监测光刻机漏光情况的方法在正常光刻工艺的间隙进行。