[发明专利]一种瓦片式分层架构的相控阵天线

权利要求书

1.一种瓦片式架构的相控阵天线，其特征在于：该相控阵天线采用瓦片式分层架构，从上至下依次为射频辐射层、热控层、馈网层、控制配电层、结构层；

射频辐射层：在平面内包括若干相同天线子阵，每个子阵包括从上至下分布的辐射阵面亚层、有源射频亚层、子阵馈网亚层、控制与供电分配亚层；

辐射阵面亚层为块状结构，每一个辐射阵面亚层中含有若干个阵元；有源射频亚层中包含着子阵阵元对应的衰减电路、移相电路、延时电路和功率放大放电路；子阵馈网亚层包含子阵馈电网络；控制与供电分配亚层在子阵内集成移相衰减控制功能和电源分配功能；

热控层用于对射频辐射层进行热控；馈网层将所有子阵的射频接口连接起来，形成整阵馈电网络；控制配电层用于相控阵控制和电源分配，对所有子阵进行控制和供电连接；结构层包含结构底板和结构套框，将相控阵天线的其他组成部分安装在结构底板和结构套框形成的空腔内；

在馈电网络的实现方面，采用分层降维的方式，即在有源射频层实现子阵中各阵元之间的馈网连接，在馈网层实现各子阵之间的馈网连接；

在射频辐射层内，辐射阵面亚层与有源射频亚层之间采用微波焊接方式实现互连；有源射频亚层与子阵馈网亚层之间采用带状线垂直过孔方式实现互连；有源射频亚层与控制与供电分配亚层之间采用LTCC或PCB过孔方式实现互连；

热控层上留有穿孔，用于射频辐射层与馈网层之间以及射频辐射层与控制配电层之间的穿层连接；

馈网层上留有穿孔，用于射频辐射层与控制配电层之间的穿层连接；

射频辐射层与馈网层之间采用miniSMP的连接方式，穿过热控层上设置的穿孔实现；

射频辐射层与控制配电层之间的互连采用排针的方式连接，穿过热控层和馈网层上设置的穿孔实现；

热控层与射频辐射层下表面通过导热硅脂贴合连接。

2.根据权利要求1所述的一种瓦片式架构的相控阵天线，其特征在于：控制配电层上按需集成专用模块以实现对应功能，包括：多波位方向图并行测试模块、波束跟踪模块或者幅相校正模块。

3.根据权利要求1所述的一种瓦片式架构的相控阵天线，其特征在于：所述热控层采用层状薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的一种瓦片式架构的相控阵天线，其特征在于：热控层采用金刚石薄膜。