[发明专利]一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法

权利要求书

1.一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，

对MEMS陀螺微结构芯片的漏电流、基础电容、驱动频率、驱动Q值、敏感频率、敏感Q值进行测试，确定MEMS陀螺微结构芯片的性能满足要求；

S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，

选取经过测试合格的MEMS陀螺微结构芯片，将MEMS陀螺微结构芯片粘接于管壳内；

S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，

将MEMS陀螺微结构芯片的PAD点与管壳引脚对应键合；

S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，

对未盖板的管壳内的MEMS陀螺微结构芯片进行第二次测试，测试参数包括漏电流、基础电容、驱动频率、驱动Q值、敏感频率、敏感Q值，确定MEMS陀螺微结构芯片的性能满足要求；

S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，

利用激光划片机在MEMS陀螺微结构芯片的上层盖板穿孔，使MEMS陀螺微结构芯片的中间结构腔体与外界大气环境连通；

S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，

将打过孔的MEMS陀螺微结构芯片放入可调真空度的真空装置中，在不同的真空度条件下测试MEMS陀螺微结构芯片的Q值，描绘真空度与Q值的对应曲线；

S7、管壳级真空封装，

将打过孔的MEMS陀螺微结构芯片进行管壳级的真空封装；

S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，

对完成管壳级真空封装的MEMS陀螺微结构芯片进行第三次测试，测试参数包括漏电流、基础电容、驱动频率、驱动Q值、敏感频率、敏感Q值，此时MEMS陀螺微结构芯片内部腔体的真空度即是管壳级封装内部的真空度；

S9、查找管壳级封装对应的真空度数值，

根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，其特征在于，步骤S5的打孔孔径为200μm，激光划片机的打孔参数：速度200μm/s，前300μm在5秒内完成，每次步进100μm，完成后表面硅屑吹净，300μm后每次步进10μm，体式显微镜观察MEMS陀螺微结构背面透光后，每次步进2μm，直至上层盖板被打透。