[发明专利]耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置

权利要求书

1.一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，包括：

提供一零部件本体，所述零部件本体至少包括不共面的第一待涂面和第二待涂面；

在所述第一待涂面上形成致密的耐腐蚀涂层，同时在第二待涂面形成疏松的耐腐蚀涂层；

对所述零部件本体进行清洁处理，去除所述第二待涂面上疏松的耐腐蚀涂层，暴露出所述第二待涂面；

在所述第二待涂面上形成致密的耐腐蚀涂层，同时在第一待涂面形成疏松的耐腐蚀涂层；

对所述零部件本体进行清洁处理，去除所述第一待涂面上疏松的耐腐蚀涂层。

2.根据权利要求1所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，

所述耐腐蚀涂层的形成工艺为物理气相沉积法，具体包括：

提供一靶材，激发所述靶材形成分子流；

使所述零部件本体的第一待涂面与所述靶材相对设置，所述分子流在所述第一待涂面形成致密的耐腐蚀涂层，同时所述第二待涂面沉积形成疏松的耐腐蚀涂层；

对所述零部件本体进行清洁处理，去除所述第二待涂面上疏松的耐腐蚀涂层，暴露出所述第二待涂面；

在所述第一待涂面形成致密的耐腐蚀涂层之后，使所述第二待涂面与所述靶材相对设置，所述分子流在所述第二待涂面沉积形成致密的耐腐蚀涂层，同时在所述第一待涂面上沉积形成疏松的耐腐蚀涂层；

对所述零部件本体进行清洁处理，去除所述第一待涂面上疏松的耐腐蚀涂层。

3.根据权利要求2所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述分子流通过增强源输送至所述零部件本体的表面。

4.根据权利要求3所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述增强源包括等离子体增强源、离子束增强源、微波增强源或射频增强源中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述清洁处理为化学清洗。

6.根据权利要求5所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述化学清洗使用的化学溶液包括酸溶液，所述酸溶液包括盐酸、硫酸、硝酸或高氯酸中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述化学清洗使用的化学溶液的体积浓度范围为1:1～1:1000。

8.根据权利要求5所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述化学清洗时间为1秒～1小时。

9.根据权利要求5所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述化学清洗过程通过辅助方式调控清洗速度，所述辅助方式包括加热或超声中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述致密的耐腐蚀涂层的致密度为：95％～100％。

11.一种半导体零部件，其特征在于，包括零部件本体，所述零部件本体至少包括不共面的第一待涂面和第二待涂面，所述第一待涂面和第二待涂面具有如权利要求1-10任一方法制备的致密的耐腐蚀涂层。

12.根据权利要求11所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第一待涂面与第二待涂面之间的夹角范围为45°～135°。

13.根据权利要求11所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述致密的耐腐蚀涂层的生长方向与零部件本体表面的法线方向平行，所述致密的耐腐蚀涂层在所述第一待涂面与第二待涂面之间的交界处具有连续的致密结构。