[发明专利]一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺有效
申请号: | 202011028144.X | 申请日: | 2020-09-26 |
公开(公告)号: | CN112271234B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 周祥磊;赵东旭;李海波;李静;陶龙忠;杨灼坚 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C09K13/02 |
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地址: | 224000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 花篮 产生 预处理 工艺 | ||
本发明提供一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,用酒精擦拭花篮底板和花篮杆;步骤二,把擦拭好的花篮放进花篮清洗机泡槽内,泡槽里加刚好覆盖花篮的水,再加入氢氧化钾和制绒添加剂,鼓泡泡洗;步骤三,排掉泡槽药液,加水溢流清洗,用PH试纸测试显示中性后,用气枪把花篮吹干;步骤四,将花篮投放到制绒机中制绒做片至少六遍;步骤五,从制绒机中取出花篮投放到碱抛槽中空跑一遍;步骤六,从碱抛槽中取出花篮,晾干。在碱抛工艺前,使用本工艺处理全新的花篮,可有效解决碱抛过程中花篮带来的花篮印降级影响,此工艺可操作性强,对新增产能线的良品率提升有很大的作用,具有广阔的应用前景。
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,尤其涉及一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺。
背景技术
随着电池片对效率的要求越来越高,结合国家对环保的要求,一种新的PERC碱抛工艺应运而生,它可以增加背面反射率、减少废水废液的排放,目前新上的单晶PERC线基本上都是碱抛光工艺,碱抛光工艺需要使用花篮来承载硅片,新采购的全新花篮因为在制造过程中要经过若干模具成型,外表也会喷涂一些化学品,直接使用这种未处理的花篮进行碱抛工艺,会在电池片端产生很严重的花篮印,从而影响产线良品率。
发明内容
鉴于以上,本发明提供一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺,在碱抛工艺前,使用本工艺处理全新的花篮,可有效解决碱抛过程中花篮带来的花篮印降级影响,对新增产能线的良品率提升有很大的作用,具有广阔的应用前景。
本发明具体技术方案如下:
一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,用酒精擦拭花篮底板和花篮杆;
步骤二,把擦拭好的花篮放进花篮清洗机泡槽内,泡槽里加刚好覆盖花篮的水,再加入 氢氧化钾和制绒添加剂,鼓泡泡洗;
步骤三,排掉泡槽药液,加水溢流清洗,用PH试纸测试显示中性后,用气枪把花篮吹干;
步骤四,将花篮投放到制绒机中制绒做片至少六遍;
步骤五,从制绒机中取出花篮投放到碱抛槽中空跑一遍;
步骤六,从碱抛槽中取出花篮,晾干。
进一步,步骤二中添加氢氧化钾为10L,制绒添加剂为5L。
进一步,步骤二中鼓泡泡洗4个小时,期间隔2个小时再添加一次制绒添加剂2L和氢氧化钾2L。
进一步,步骤三中加水溢流20分钟。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
一种解决碱抛花篮产生花篮印的预处理工艺,包括如下步骤:
步骤一,用酒精擦拭花篮底板和花篮杆,保证泡洗前花篮表面干净;
步骤二,把擦拭好的花篮放进花篮清洗机泡槽内,泡槽里加刚好覆盖花篮的水,再加入10L的氢氧化钾和5L的制绒添加剂,鼓泡泡洗4个小时,期间隔2个小时再添加一次2L的制绒添加剂和2L的氢氧化钾,用碱和制绒添加剂去除花篮表面的有机物和杂质;
步骤三,排掉泡槽内药液,加水溢流清洗20分钟,清洗花篮表面的碱和添加剂,用PH试纸测试显示中性后,用气枪把花篮吹干;
步骤四,将花篮投放到制绒机中制绒做片至少六遍,其目的是利用制绒机里的碱、双氧水、酸等药液加上循环鼓泡、烘干等功能,让花篮再次充分的清洗和浸润;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的