[发明专利]一种陶瓷电容器芯片在审
申请号: | 202011028673.X | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112017863A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 陈色江;彭少雄 | 申请(专利权)人: | 东莞市德尔创电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/38 | 分类号: | H01G4/38;H01G4/005;H01G4/12 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 蒋学超 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 电容器 芯片 | ||
1.一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,包括呈扁平状的介质本体;所述介质本体包括第一面,以及与第一面相对设置的第二面;所述第一面涂覆有两个以上的第一电极,第一面上的所有第一电极呈左右并排设置,所述第二面涂覆有与第一面的所有第一电极位置相对应的第二电极;相邻两个第一电极或者第二电极之间的介质本体上设有镂空槽或者凹槽。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述介质本体为长方体形状或者椭圆形状;多个所述第一电极或者第二电极沿介质本体的长度方向均匀分布。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述介质本体采用陶瓷材质制成。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述第一电极的形状为圆形或者方形,所述第二电极的形状与第一电极的形状相同。
5.根据权利要求2所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,镂空槽或者凹槽的截面形状为长方形或者椭圆形,且镂空槽或者凹槽的长度方形与介质本体的宽度方形相平行。
6.根据权利要求5所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述镂空槽或者凹槽的长度小于所述介质本体的宽度。
7.根据权利要求5所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述镂空槽或者凹槽的宽度为0.5mm-10mm,长度不小于第一电极直径或边长的40%。
8.根据权利要求5所述的一种陶瓷电容器芯片,其特征在于,所述介质本体的厚度为0.5mm-12mm。
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