[发明专利]一种不规则状或微尺度晶体材料体膨胀系数的测试方法在审

专利信息
申请号: 202011032891.0 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112326703A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 何端鹏;高鸿;李岩;邢焰;于翔天;汪洋;王向轲;吴冰;刘泊天;张静静;陆平;孔静 申请(专利权)人: 中国空间技术研究院
主分类号: G01N23/2055 分类号: G01N23/2055
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 张丽娜
地址: 100194 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 不规则 尺度 晶体 材料 膨胀系数 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种不规则状或微尺度晶体材料体膨胀系数的测试方法,晶体材料为均相材料时,其特征在于该方法的步骤包括:

(1)在常温下对待测试的晶体材料进行XRD测试,获取常温下待测试的晶体材料的XRD图谱;

(2)根据步骤(1)中得到的XRD图谱中晶面与衍射角的关系,求出待测试的晶体材料在常温下的晶格常数a1、b1、c1

(3)在不同温度T下对待测试的晶体材料进行XRD测试,获取不同温度T下待测试的晶体材料的XRD图谱;

(4)根据步骤(3)中得到的XRD图谱中晶面与衍射角的关系,求出待测试的晶体材料在不同温度T下的晶格常数ai、bi、ci;i为不同温度的编号;

(5)进行ai~T、bi~T、ci~T拟合,得到三条拟合曲线,对得到的三条拟合曲线分别基于方程求得晶轴a、b、c的线膨胀系数αa、αb、αc

(6)利用公式αV=αabc计算晶体材料的体膨胀系数αV

(7)根据得到的晶体材料的体膨胀系数对结构设计和结构选材进行指导。

2.一种不规则状或微尺度晶体材料体膨胀系数的测试方法,晶体材料为多相材料时,晶体材料中各物相含量为ω1、ω2、...、ωj,其特征在于:

其中任一物相ωj在不同温度T下的晶格常数aij、bij、cij和晶轴a、b、c的线膨胀系数αaj、αbj、αcj的确定方法为:

(1)在常温下对待测试的晶体材料进行XRD测试,获取常温下待测试的晶体材料物相ωj的XRD图谱;

(2)根据步骤(1)中得到的XRD图谱中晶面与衍射角的关系,求出待测试的晶体材料物相ωj在常温下的晶格常数a1j、b1j、c1j

(3)在不同温度T下对待测试的晶体材料进行XRD测试,获取不同温度T下待测试的晶体材料物相ωj的XRD图谱;

(4)根据步骤(3)中得到的XRD图谱中晶面与衍射角的关系,求出待测试的晶体材料物相ωj在不同温度T下的晶格常数aij、bij、cij;i为不同温度的编号;

(5)进行aij~T、bij~T、cij~T拟合,得到三条拟合曲线,对得到的三条拟合曲线分别基于方程求得晶轴a、b、c的线膨胀系数αaj、αbj、αcj

(6)计算晶体材料的体膨胀系数αV,计算公式为:αV=ω1a1b1c1)+ω2a2b2c2)+63a3b3c3)+…+ωjajbjcj),j为不同物相的编号;

(7)根据得到的晶体材料的体膨胀系数对结构设计和结构选材进行指导。

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