[发明专利]一种光刻图形的制造方法与制造系统

说明书

本发明提出一种光刻图形的制造方法及制造系统，包括：在基底上形成一光刻胶；对所述光刻胶进行曝光处理，以在所述光刻胶上形成第一区和第二区；采用显影液对所述光刻胶进行多次显影处理，以使所述显影液去除所述第一区或所述第二区，以形成所述光刻图形；其中，所述显影处理包括：向所述光刻胶喷涂所述显影液；所述显影液与所述第一区或所述第二区反应。其中，向所述光刻胶喷涂所述显影液的过程至少包括第一喷涂过程，第二喷涂过程和第三喷涂过程；其中，在每次所述显影处理之后，还包括去除与所述第一区或所述第二区反应的所述显影液。本发明提出的光刻图形的制造方法可以避免光刻图形出现形貌缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种光刻图形的制造方法与制造系统。

背景技术

半导体集成电路制造中，光刻工艺和刻蚀工艺常反复进行以在待处理基底上形成半导体图形。通常的光刻是这样进行的：首先在硅片上旋转涂覆光刻胶，即光阻层；然后将涂布有光刻胶的硅片曝露于某种光源下，如紫外光、电子束或者X-射线，对光阻层进行选择性曝光；接着经过显影工艺，仍保留在硅片上光阻层就形成了光刻图形，保护着其所覆盖的区域。

光刻工艺的精确度对芯片的良率和品质起到至关重要的作用，但是随着集成电路工艺中的关键尺寸的缩小，现有的显影工艺形成的光刻图形在形貌和尺寸上容易产生缺陷。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种光刻图形的制造方法与制造系统，以减少光刻图形的形貌缺陷。

为实现上述目的及其他目的，本发明提成一种光刻图形的制造方法，包括：

在基底上形成一光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光处理，以在所述光刻胶上形成第一区和第二区；

采用显影液对所述光刻胶进行多次显影处理，以使所述显影液去除所述第一区或所述第二区，以形成所述光刻图形；

其中，所述显影处理包括：

向所述光刻胶喷涂所述显影液；

所述显影液与所述第一区或所述第二区反应；

其中，向所述光刻胶喷涂所述显影液的过程至少包括第一喷涂过程，第二喷涂过程和第三喷涂过程；

其中，在每次所述显影处理之后，还包括去除与所述第一区或所述第二区反应的所述显影液。

进一步地，所述第一喷涂过程的喷涂时间小于所述第三喷涂过程的喷涂时间，所述第三喷涂过程的喷涂时间小于第二过程的喷涂时间。

进一步地，在所述第一喷涂过程，所述第二喷涂过程及所述第三喷涂过程中，所述基底处于旋转状态。

进一步地，在所述第一喷涂过程中，所述晶基底的转速为第一转速；在所述第二喷涂过程中，所述基底的转速为第二转速；在所述第三喷涂过程中，所述基底的转速为第三转速；所述第一转速等于所述第二转速，所述第二转速大于所述第三转速。

进一步地，还包括第四喷涂过程，所述第四喷涂过程的喷涂时间大于所述第二喷涂过程的喷涂时间。

进一步地，所述显影液与所述第一区或所述第二区反应的过程包括：

至少两次反应阶段，所述反应阶段包括反应过程和间隙过程；

其中，在所述反应过程中，所述基底处于静止状态；在所述间隙过程中，所述基底处于旋转状态。

进一步地，所述反应过程的时间大于所述间隙过程的时间。

进一步地，通过旋转所述基底，以去除与所述第一区或所述第二区反应的所述显影液。

进一步地，所述光刻胶包括正胶或负胶。