[发明专利]横向超结结构的制造方法

说明书

本发明公开一种横向超结结构的制造方法，所述横向超结结构位于横向扩散晶体管的外延层内，所述方法包括：在外延层上表面形成多个间隔排列的阻挡条；从阻挡条侧边向下方倾斜注入第一类型掺杂离子，以形成由相邻的阻挡条限定宽度的第一类型掺杂条；对阻挡条贴设侧壁，以形成覆盖第一类型掺杂条的遮挡层；从外延层上方向下垂直注入第二类型掺杂离子，以在外延层未被遮挡层遮挡的部分形成第二类型掺杂条。本发明解决了横向超结晶体管因使用掩膜数量较多而耗费制造成本的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种横向超结结构的制造方法。

背景技术

横向扩散晶体管(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，简称LDMOS)作为功率半导体器件的一种，显著特征是其内设置有外延区来分担反向电压，从而具备优良的耐压特性。

随着LDMOS在集成电路中的应用越来越广泛，LDMOS还要求在不损失耐压的情况下降低比导通电阻，一种常用方法是在外延区中形成超结结构。超结结构具体由交替排列的N型掺杂条和P型掺杂条构成，对于N型LDMOS来说P型掺杂条对N型掺杂条及N型外延区会有辅助耗尽的作用，对于P型LDMOS来说N型掺杂条对P型掺杂条及P型外延区会有辅助耗尽的作用，从而在相同耐压状态下外延区可以有更高的掺杂浓度，进而降低了LDMOS的比导通电阻。并且，超结结构内的PN结可以调节电场分布，这使得电场分布更加均匀，从而对LDMOS的耐压性也起到了改善作用。

超结结构的传统制造工艺是：用一张掩膜版(mask)在外延区上开窗口以向外延区内注入N型掺杂离子，形成N型掺杂条；以及，用另一张掩膜版在外延区上开窗口以向外延区内注入P型掺杂离子，形成P型掺杂条。这种工艺需要两张掩膜版来制作超结结构，存在制造成本较高的技术问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种横向超结结构的制造方法，以通过减少所用掩膜版的数量来降低横向超结扩散晶体管的制造成本。

根据本发明，提供了一种横向超结结构的制造方法，所述横向超结结构位于横向扩散晶体管的外延层内，所述方法包括：

在所述外延层上表面形成多个间隔排列的阻挡条；

从所述阻挡条侧边向下方倾斜注入第一类型掺杂离子，以形成由相邻的所述阻挡条限定宽度的第一类型掺杂条；

对所述阻挡条贴设侧壁，以形成覆盖所述第一类型掺杂条的遮挡层；

从所述外延层上方向下垂直注入第二类型掺杂离子，以在所述外延层未被所述遮挡层遮挡的部分形成第二类型掺杂条。

可选地，在所述外延层上表面形成多个间隔排列的阻挡条，包括：

在所述外延层上表面形成光刻胶层；

在所述光刻胶层上表面贴设掩膜版，所述掩膜版根据多个所述阻挡条的预设形状和预设排布情况制定；

利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光并显影，以使所述光刻胶层图形化后和所述掩膜版共同形成多个所述阻挡条。

可选地，从所述阻挡条侧边向下方倾斜注入第一类型掺杂离子，包括：

获取所述阻挡条下方的第一类型掺杂条在所述阻挡条目标侧的预设边沿位置；

获取所述阻挡条在所述目标侧的相邻阻挡条的高度；

以所述预设边沿位置和所述相邻阻挡条的高度确定所述倾斜注入的倾斜角，并基于所述倾斜角在所述目标侧进行所述倾斜注入。

可选地，基于所述倾斜角在所述目标侧进行所述倾斜注入，包括：

以所述阻挡条的底部和所述倾斜角确定内侧路径；