[发明专利]一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法有效
| 申请号： | 202011034039.7 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112174121B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 清洁 石墨 材料 制备 方法 | ||
1.一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤a，采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；
步骤b，采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；所述金属层为Ti金属层、Al金属层或Pt金属层；
步骤c，在所述金属层上形成光刻胶层；
步骤d，将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。
2.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述金属衬底为Cu、Ni、CuNi或Au衬底。
3.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述金属层的厚度为30-300nm。
4.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤c中，光刻胶层的厚度为100nm-5μm。
5.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤a中，采用化学气相沉积法制备石墨烯层具体包括如下步骤：将金属衬底置于化学气相沉积CVD炉中，设置生长温度为1050-1100℃，生长压力为25-30mbar，通入气态碳源和载气，生长40-50min，降温，即得到在金属衬底生长的石墨烯层。
6.如权利要求5所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述气态碳源为甲烷、乙烷、乙炔或丙烷。
7.如权利要求6所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述气态碳源的流量为1.8-2.5sccm。
8.如权利要求5所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述载气为氢气和氩气。
9.如权利要求8所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述氢气的流量为28-32sccm，所述氩气的流量为480-520sccm。
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