[发明专利]一种环件中滚花深度的检测方法

说明书

本发明涉及一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47‑1.54mm，开始滚花深度的检测；滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试。本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。

技术领域

本发明涉及检测领域，具体涉及一种环件中滚花深度的检测方法。

背景技术

目前，用于溅射的真空容器中包含有溅射靶材和靠近溅射靶材处放置的磁控溅射环件。容器中的电场使惰性气体产生电离，并从靶材上撞击出原子，以将溅射靶材料沉积到晶片上。同时，溅射靶材料上被撞击出的原子为漫反射状，需要对其加以约束。磁控溅射环件就是配合平面靶材溅射使用的部件，其主要作用是通过其产生的电磁场对溅射出的靶材料原子运动进行约束，同时吸附溅射过程中有可能出现的大的颗粒。

如CN108396297A公开了一种溅射机环件，涉及半导体芯片加工技术领域，提供的溅射机环件包括环件本体，环件本体具有形成环件端口的第一端部和第二端部，其中：第一端部上设有第一导电凸起，第一导电凸起上与第一端部连接的一端为第一内端，第一导电凸起末端的周向尺寸小于第一内端的周向尺寸；第二端部上设有第二导电凸起，第二导电凸起上与第二端部连接的一端为第二内端，第二导电凸起末端的周向尺寸小于第二内端的周向尺寸。提供的溅射机环件增加了第一导电凸起和第二导电凸起末端与机台之间的距离，能够有效减小第一导电凸起和第二导电凸起接触到机台的概率。

CN201842885U公开了一种钽溅射环结构，应用于12英寸硅片的生产过程，该钽溅射环结构上具有花纹，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。提供的钽溅射环结构，通过增大钽溅射环结构上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环结构的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材原子吸附能力差从而导致使用寿命短的问题，实施例中的钽溅射环结构的花纹能够吸附的更多的靶材原子，进而增加了钽溅射环结构的使用次数，延长了使用寿命。

CN110670031A一种钽环及制备方法、包含钽环的溅射装置及其应用，所述钽环包括环件以及设置在环件表面的花纹，所述花纹呈锥形凹坑状；锥形凹坑状花纹具有较大的比表面积，当在用于溅射过程中，能够附着较大量的溅射源，并且具有较好的附着力，此外花纹呈现锥形凹坑状，锥形凹坑的顶部朝向环件内部，相邻两个锥形凹坑的底部相连，呈现平面状的结构，而非带有尖端的结构，因此能够避免在通电过程中出现的尖端放电的现象，从而提高钽环的使用寿命。钽环的制备方法简单，仅需滚花处理即可，无需进行表面锐化处理，即能保证得到的钽环对溅射源具有较好的吸附能力以及吸附量的前提下，不会出现尖端放电的情况。

然而在环件的使用过程中，对于表面滚花的深度要求非常高，但是目前的滚花检测方式存在检测过程复杂，检测准确度差，检测效率低等问题。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种环件中滚花深度的检测方法，通过本发明的检测方法，可实现环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，开始滚花深度的检测；

滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试。

本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。

本发明中，点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，例如可以是1.47mm、1.48mm、1.49mm、1.5mm、1.51mm、1.52mm、1.53mm或1.54mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。