[发明专利]基于聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管方法在审

专利信息
申请号: 202011035540.5 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112179955A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 安鹏荣;李君;谢彦博 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y40/00;B82Y15/00
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 基于 精氨酸 谷氨酸 修饰 纳米 制备 ph 响应 流体 二极管 方法
【权利要求书】:

1.一种基于聚精氨酸修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管的方法,其特征在于步骤如下:

步骤1:将重离子辐照过的PET膜除去膜表面的灰尘和杂质;

步骤2:用化学刻蚀的方法在PET薄膜刻蚀纳米孔,在0.5mg/mL的PLR溶液中浸泡6h后冲洗干净、晾干,再放到60℃的烘箱中3h,PET薄膜上的纳米孔为聚精氨酸修饰的固态纳米孔,在pH作用下具有阴离子选择性的纳米流体二极管。

2.根据权利要求1所述的基于聚精氨酸修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管的方法,其特征在于:将聚精氨酸修饰的纳米孔在0.5mg/mL的聚谷氨酸溶液中浸泡6h后冲洗干净、晾干,再放到60℃的烘箱中3h,PET薄膜上的纳米孔为聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的固态纳米孔,在pH作用下具有阳离子离子选择性的纳米流体二极管。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述纳米孔为采用不对称刻蚀法得到的单锥形纳米孔。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述在pH作用下具有阴离子选择性的纳米流体二极管时pH为2.2~11。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述在pH作用下具有阳离子离子选择性的纳米流体二极管时pH为1.5~9.8。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1除去膜表面的灰尘和杂质PET膜再在紫外灯下每面辐照1.5h。

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