[发明专利]基于聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管方法在审
申请号: | 202011035540.5 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112179955A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 安鹏荣;李君;谢彦博 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;B82Y40/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 精氨酸 谷氨酸 修饰 纳米 制备 ph 响应 流体 二极管 方法 | ||
1.一种基于聚精氨酸修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管的方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将重离子辐照过的PET膜除去膜表面的灰尘和杂质;
步骤2:用化学刻蚀的方法在PET薄膜刻蚀纳米孔,在0.5mg/mL的PLR溶液中浸泡6h后冲洗干净、晾干,再放到60℃的烘箱中3h,PET薄膜上的纳米孔为聚精氨酸修饰的固态纳米孔,在pH作用下具有阴离子选择性的纳米流体二极管。
2.根据权利要求1所述的基于聚精氨酸修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管的方法,其特征在于:将聚精氨酸修饰的纳米孔在0.5mg/mL的聚谷氨酸溶液中浸泡6h后冲洗干净、晾干,再放到60℃的烘箱中3h,PET薄膜上的纳米孔为聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的固态纳米孔,在pH作用下具有阳离子离子选择性的纳米流体二极管。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述纳米孔为采用不对称刻蚀法得到的单锥形纳米孔。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述在pH作用下具有阴离子选择性的纳米流体二极管时pH为2.2~11。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述在pH作用下具有阳离子离子选择性的纳米流体二极管时pH为1.5~9.8。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1除去膜表面的灰尘和杂质PET膜再在紫外灯下每面辐照1.5h。
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