[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法在审
| 申请号： | 202011036109.2 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112198183A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李静云 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2206;G01N23/20091;G01N23/20;G01N23/20008;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 溅射 形貌 组分 检测 方法 | ||
1.一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，其特征在于，所述形貌组分检测方法包括对C-SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测。
2.如权利要求1所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述抛光指利用砂纸或抛光机对C-SiC溅射靶材表面进行抛光处理。
3.如权利要求1或2所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述抛光的终点为表面无明显划痕。
4.如权利要求1-3任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述喷金的时间为30-90s。
5.如权利要求1-4任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述喷金中的真空度为0.1-0.3mbar。
6.如权利要求1-5任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述喷金中的电流为5-15mA。
7.如权利要求1-6任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述SEM及EDS检测中的电压为15-20kV。
8.如权利要求1-7任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述SEM及EDS检测中的电流为50-80μA。
9.如权利要求1-8任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述EDS检测中的计数率为10000以上。
10.如权利要求1-9任一项所述的形貌组分检测方法，其特征在于，所述形貌组分检测方法包括对C-SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测；
其中，所述抛光指利用砂纸或抛光机对C-SiC溅射靶材表面进行抛光处理；所述抛光的终点为表面无明显划痕；所述喷金的时间为30-90s；所述喷金中的真空度为0.1-0.3mbar；所述喷金中的电流为5-15mA；所述SEM及EDS检测中的电压为15-20kV；所述SEM及EDS检测中的电流为50-80μA；所述EDS检测中的计数率为10000以上。
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