[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，其中，所述多个层中的每一个包括半导体图案、在所述半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到所述半导体图案的数据存储元件；

多个竖直绝缘体，穿透所述堆叠结构，所述多个竖直绝缘体中的至少一个沿所述第一方向布置；以及

位线，在所述堆叠结构的一侧上竖直延伸，

其中，所述位线将所述半导体图案电连接，

所述多个竖直绝缘体中的每一个包括第一竖直绝缘体和与所述第一竖直绝缘体相邻的第二竖直绝缘体，以及

所述栅电极包括在所述第一竖直绝缘体与所述第二竖直绝缘体之间的连接部分。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个竖直绝缘体将所述半导体图案划分成多个子图案，以及

其中，所述子图案沿所述第一方向布置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述多个竖直绝缘体中的每一个还包括：

延伸部，将所述第一竖直绝缘体和所述第二竖直绝缘体连接，

其中，彼此相邻的所述子图案通过所述第一竖直绝缘体、所述第二竖直绝缘体和所述延伸部沿所述第一方向彼此间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述数据存储元件包括：

第一电极，电连接到所述半导体图案；

第二电极，在所述第一电极上；以及

电介质层，在所述第一电极与所述第二电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述栅电极包括：

第一栅电极，在所述半导体图案的第一表面上；以及

第二栅电极，在所述半导体图案的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述栅电极在所述半导体图案的顶表面、底表面、第一侧壁和第二侧壁上。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线包括：

堆叠的水平部分，分别电连接到堆叠的半导体图案；以及

竖直部分，将所述堆叠的水平部分连接并竖直延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二竖直绝缘体沿所述第一方向相对于所述第一竖直绝缘体偏移。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二竖直绝缘体沿第二方向与所述第一竖直绝缘体对齐，所述第二方向与所述第一方向相交。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述栅电极具有沿第二方向彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第二方向与所述第一方向相交，以及

其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个是弯曲的。

11.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，其中，所述多个层中的每一个包括半导体图案、在所述半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到所述半导体图案的数据存储元件；

竖直绝缘体，穿透所述堆叠结构，所述竖直绝缘体沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；以及

位线，在所述堆叠结构的一侧上竖直延伸，

其中，所述半导体图案包括沿所述第一方向彼此间隔开的第一半导体子图案和第二半导体子图案，其中所述竖直绝缘体介于所述第一半导体子图案和所述第二半导体子图案之间，

所述竖直绝缘体包括第一竖直绝缘体和与所述第一竖直绝缘体相邻的第二竖直绝缘体，

所述栅电极包括在所述第一竖直绝缘体与所述第二竖直绝缘体之间的连接部分，以及

所述第一半导体图案上的所述栅电极通过所述连接部分连接到所述第二半导体图案上的所述栅电极。