[发明专利]图像传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011037196.3 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN113053930A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 赵容震;郭恩儿;权美珍;李英美 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨姗
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

第一像素行和第二像素行,所述第一像素行和所述第二像素行中的每一个像素行包括在第一方向上布置的多个像素,所述第一像素行和所述第二像素行在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻;

多个器件隔离图案,设置在所述第一像素行与所述第二像素行之间,所述多个器件隔离图案在所述第一方向上彼此间隔开;以及

多个支撑图案,设置在所述第一像素行与所述第二像素行之间,所述多个支撑图案中的每一个支撑图案介于所述多个器件隔离图案中的相邻的两个器件隔离图案之间,

其中,所述多个支撑图案中的每一个支撑图案连接到所述多个像素中的对应像素。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个支撑图案中的每一个支撑图案包括沿所述支撑图案的侧表面延伸的第一掺杂区域。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素包括沿所述像素的侧表面延伸的第二掺杂区域,并且

所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域具有相同的导电类型。

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素包括光电转换区域,并且

所述第二掺杂区域设置在所述光电转换区域与所述多个器件隔离图案中的对应器件隔离图案之间。

5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域包括相同的杂质。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个器件隔离图案中的每一个器件隔离图案包括:

隔离图案,设置在所述多个支撑图案中的相邻的两个支撑图案之间;以及

绝缘图案,介于所述隔离图案与所述多个支撑图案中的所述相邻的两个支撑图案中的每一个支撑图案之间。

7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述隔离图案设置在所述多个像素中的对应像素之间,并且

所述绝缘图案延伸到所述隔离图案与所述多个像素中的所述对应像素中的每一个像素之间的区域中。

8.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述隔离图案包括半导体材料或金属材料。

9.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述多个支撑图案中的每一个支撑图案包括沿所述支撑图案的侧表面延伸的第一掺杂区域,并且

所述绝缘图案设置在所述隔离图案与所述多个支撑图案中的所述相邻的两个支撑图案中的每一个支撑图案的第一掺杂区域之间。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述多个像素中的每一个像素包括沿所述像素的侧表面延伸的第二掺杂区域,

所述隔离图案设置在所述多个像素中的对应像素之间,并且

所述绝缘图案延伸到所述隔离图案与所述多个像素中的所述对应像素中的每一个像素的第二掺杂区域之间的区域中。

11.一种图像传感器,包括:

第一像素行和第二像素行,所述第一像素行和所述第二像素行中的每一个像素行包括在第一方向上布置的多个像素,所述第一像素行和所述第二像素行在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻;

多个第一器件隔离图案,设置在所述第一像素行与所述第二像素行之间,所述多个第一器件隔离图案在所述第一方向上彼此间隔开;以及

多个第二器件隔离图案,设置在所述多个第一器件隔离图案之间,

其中,所述多个第二器件隔离图案中的每一个第二器件隔离图案包括:

隔离图案,设置在所述多个第一器件隔离图案中的对应第一器件隔离图案之间;以及

绝缘图案,介于所述隔离图案与所述多个第一器件隔离图案中的所述对应第一器件隔离图案中的每一个第一器件隔离图案之间。

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