[发明专利]一种检测氡含量的装置及方法

说明书

本发明涉及一种检测氡含量的装置及方法，检测氡含量的装置包括流气式腔室，所述流气式腔室的相对两侧分别为开设有进气口和出气口，所述流气式腔室的另外两侧的内壁上分别设置有漂移电极和带金属电极的半导体探测器，其中，所述漂移电极接负电压，所述带金属电极的半导体探测器接地。直接测量氡衰变子体的alpha粒子径迹并实时给出测量结果，避免了滞留效应，提高了仪器的稳定度和使用寿命。

技术领域

本发明涉及辐射探测技术领域，尤其涉及一种检测氡含量的装置及方法。

背景技术

氡是自然界中存在的一种放射性气体。在低本底暗物质实验和中微子实验中，氡是主要的本底之一。另外，氡的衰变子体是放射性气溶胶,吸入人体产生的内辐照可诱发肺癌。随着科学技术水平发展，新的测量氡浓度的方法和仪器有许多种，按采样时间可分为：瞬时快速测量，连续测量和长期累计测量三种。其中快速测量典型的方法有：双滤膜法、闪烁室法等。连续测量典型的方法有：闪烁室法、电离室静电计法、脉冲电离室法等。累计测量典型的方法有：活性炭法、驻极体法等。这些方法各有优缺点，但都不能实时对氡的衰变径迹进行测量，因此其测量下限往往受制与环境和材料的本底。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种检测氡含量的装置及方法。

根据第一方面，提供了一种检测氡含量的装置，包括流气式腔室，所述流气式腔室的相对两侧分别为开设有进气口和出气口，所述流气式腔室的另外两侧的内壁上分别设置有漂移电极和带金属电极的半导体探测器，其中，所述漂移电极接负电压，所述带金属电极的半导体探测器接地。

在一种可能的实施方式中，所述进气口处安装有滤膜。

在一种可能的实施方式中，所述出气口处安装有滤膜。

根据第二方面，提供了一种检测氡含量的方法，应用于如第一方面所述的检测氡含量的装置，包括：将待测气体通过流气系统充入流气式腔室内，利用漂移电极吸收产生的alpha粒子，利用带金属电极的半导体探测器测量alpha粒子的轨迹和能量，进而测量出氡含量。

本发明的有益效果：

(1)直接测量氡衰变子体的alpha粒子径迹并实时给出测量结果。

(2)给出alpha粒子的能量和径迹，可有效排除周围环境和材料的放射性本底。

(3)采用带金属电极的像素型半导体探测器，噪声小，无需信号放大即可直接测量alpha粒子径迹。

(4)氡衰变子体被阴极吸附，而不是和其他探测方法中的被半导体探测器收集，从而避免了滞留效应，提高了仪器的稳定度和使用寿命。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例提供的一种检测氡含量的装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的检测氡含量的装置另一视角下的剖视图；

附图标记说明：

1-漂移电极，2-滤膜，3-进气口，4-出气口，5-带金属电极的半导体探测器，6-流气式腔室。

具体实施方式