[发明专利]一种微导线连接装置在审
申请号: | 202011037539.6 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112053980A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 秦歌;李朋倡;闫亮;张振;明平美;张新民;李蒙;牛屾;陈旭;银燕毅 | 申请(专利权)人: | 河南理工大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 454003 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导线 连接 装置 | ||
本发明专利公开了一种微导线连接装置,属于电化学加工技术领域。该装置包括电沉积单元、芯片定位单元、溶液循环单元、Z向移动单元、水平移动单元。其中,电沉积单元由喷头、喷头盖、环状阳极和套管组成。装配后,套管的圆锥部位的内表面和与之配合的喷头的圆锥部位的外表面形成下端开放、上端密封的空腔。泵开始工作时,电解液从电沉积单元的出液口流出、流经微导线和芯片表面、从吸液口被吸入电沉积单元下端的空腔,然后从电解液出口孔返回到溶液循环单元。本发明可在芯片表面形成可控的电沉积微小区域,实现微细导线与微小芯片在竖直方向的快速定位和连接,定位精确度高,限域性好。
技术领域
本发明涉及一种微导线连接装置,尤其涉及一种采用电沉积的方式实现微导线与芯片连接的装置。
背景技术
在现有的芯片引线连接技术中,超声压焊(bonding)是常采用的连接方式,但对于硬度过高或者熔点过高的连接材料、以及芯片面积过小的芯片引线连接,采用超声压焊的方式并不能得到很好的连接质量和较高的连接效率。基于熔融原理的焊接方式(如激光焊、电阻焊等)因其热源问题往往会使芯片上导电薄膜受热起皱或无法加热到要求的连接温度,而不能得到可靠有效的连接质量。因此,对于特殊情况的芯片引线连接需要一种新型的工艺方法和装置来实现。
电化学沉积技术是一种利用电化学原理使金属原子在导电基底表面逐渐生长的加工方式,其特点在于制造过程是从原子尺度开始,无需高温、高压等条件,易于实现材料的定点定位填充生长,连接强度高、可靠性好。如公开号为CN210506578U的专利提出了一种微导线的电镀连接装置,该专利利用可升降的连接压头将微导线轻压在芯片的导电薄膜上,在电场作用下,微导线与导电薄膜之间开始沉积金属层,从而实现微导线与芯片的电镀连接。该专利提出的连接装置可实现微导线和导电薄膜的平行固定和平行连接,不同于传统超声压焊中芯片和微导线的垂直连接。随着科技的发展,会有更多更小尺寸的芯片面世,如何实现微导线和芯片之间更小区域各种方式的连接是连接工艺应解决的问题。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是采用电沉积技术解决微导线和芯片之间精确垂直连接的难题,提出一种微导线连接装置,实现微导线在芯片上的垂直连接。该装置通过位移传感器和Z向移动单元实现微导线在芯片上的垂直精确定位,通过泵的吸力实现电解液在电沉积区域小范围的不断循环,芯片上电沉积区域大小通过设计的电沉积单元的特殊结构进行控制,最终实现微导线与芯片的可靠连接。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:一种微导线连接装置,包括电沉积单元、芯片定位单元、溶液循环单元、Z向移动单元、水平移动单元。所述的电沉积单元设置在Z向移动单元的定位环上,Z向移动单元设置在支撑架上,支撑架设置在底座上;所述的芯片固定在芯片定位单元上,芯片定位单元设置在储液槽内,储液槽设置在水平移动单元上,水平移动单元设置在底座上。。
所述的电沉积单元包括喷头、喷头盖、环状阳极和套管。其中,所述的喷头为上圆柱、下圆锥的中空结构,其上圆柱内表面的较大空腔为溶液缓冲腔、外表面设置有外螺纹结构,下圆锥体两侧设有吸取电解液用的溶液通道槽。所述的喷头盖装配在喷头的上部,和喷头上部溶液缓冲腔形成密闭空腔;所述的喷头盖上设置有导线固定管孔、溶液导流孔,所述的导线固定管孔用于插入导线固定管,溶液导流孔用于接入电解液循环管道。所述的环状阳极设置在喷头上部的溶液缓冲腔内,并和电沉积电源的正极相连。所述的套管为带凸缘的上圆柱、下圆锥的中空结构,上圆柱内表面设置有内螺纹结构,可以同轴的和喷头圆柱外表面的外螺纹装配配合;所述的凸缘用于将电沉积单元固定在Z向移动单元的定位环上;所述的套管下圆锥的两侧设置有电解液出口孔,用于和溶液循环单元的循环管道连接。
所述的喷头圆柱外表面的外螺纹下方设置有环状凹槽,用于安放密封垫圈,以保证喷头和套管配合的密闭性。
所述的套管和喷头装配后,套管圆锥部位的内表面和与之配合的喷头的圆锥部位的外表面形成下端开放、上端密封的具有一定空间的空腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造