[发明专利]一种提高芯片平整度的去层方法

权利要求书

1.一种提高芯片平整度的去层方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供用于失效分析的芯片并确定失效分析的目标区域以及所述目标区域中失效分析的层，所述芯片表面以下依次包括第七至第一金属层，并且所述第七至第一金属层中的相邻两层之间分别填充有介质层；

步骤二、对所述目标区域进行手动研磨，并且研磨至所述目标区域有梯度出现为止；所述目标区域出现梯度时，该目标区域的所述失效分析的层以上还保留有至少一层金属层未被去除；

步骤三、在所述目标区域的所述梯度位置处填充Pt介质以平整研磨表面；

步骤四、对填充Pt介质后的所述目标区域继续手动研磨，若研磨至去除了所述失效分析的层以上的全部金属层时还未出现梯度，则研磨停止在所述失效分析的层上表面的所述介质层上；若研磨再次出现梯度则重复步骤三直至将失效分析的层研磨出为止。

2.根据权利要求1所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤一中的所述失效分析的目标区域位于所述芯片的切割道旁边的测试结构区域，并且靠近所述测试结构的边缘。

3.根据权利要求2所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤一中的所述失效分析的层为第一金属层。

4.根据权利要求3所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤二中所述目标区域出现梯度时，该目标区域的所述失效分析的层以上还保留有所述第二金属层未被去除。

5.根据权利要求4所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中利用聚焦离子束在所述目标区域的所述梯度位置处填充Pt介质。

6.根据权利要求5所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中填充的所述Pt介质的厚度为0.1-0.5μm。

7.根据权利要求6所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中采用电压为2-5KV条件下的聚焦离子束填充所述Pt介质。

8.根据权利要求7所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中采用电流为条件下的聚焦离子束填充所述Pt介质。

9.根据权利要求8所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中在所述目标区域的所述梯度位置处填充Pt介质的方式为：从远离所述目标区域至接近所述目标区域，所述Pt介质的厚度依次减小。

10.根据权利要求9所述的提高芯片平整度的去层方法，其特征在于：步骤三中从远离所述目标区域至接近所述目标区域，所述Pt介质依次减小的厚度为0.3～0.1μm。