[发明专利]磁存储器件

权利要求书

1.一种磁存储器件，包括：

在第一方向上延伸的导电线；

在所述导电线上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，所述磁性线与所述导电线交叉；以及

在所述导电线和所述磁性线之间的磁性图案，

其中，所述磁性图案包括在所述第一方向上彼此相反的第一侧壁和在所述第二方向上彼此相反的第二侧壁，以及

其中，所述磁性图案的所述第二侧壁分别与所述导电线的彼此相反的侧壁对准。

2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述磁性图案在所述导电线和所述磁性线的交叉处。

3.根据权利要求2所述的磁存储器件，其中，所述磁性线包括：

在所述第二方向上交替地布置的多个磁畴和多个磁畴壁，以及

其中，所述磁性图案电连接到所述导电线并且具有被固定在一个方向上的磁化方向。

4.根据权利要求2所述的磁存储器件，还包括：

隧道势垒线，在所述磁性线和所述磁性图案之间并在所述第二方向上延伸以与所述导电线交叉，

其中，所述磁性图案的所述第一侧壁分别与所述隧道势垒线的彼此相反的侧壁对准。

5.根据权利要求4所述的磁存储器件，其中，所述隧道势垒线的所述彼此相反的侧壁分别与所述磁性线的彼此相反的侧壁对准。

6.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述导电线是非磁性的。

7.根据权利要求1所述的磁存储器件，还包括：

在所述导电线和所述磁性图案上的第一层间绝缘层，

其中，所述第一层间绝缘层包括：

在所述导电线的所述彼此相反的侧壁上的第一部分；以及

从所述第一部分突出并在所述磁性图案的所述第二侧壁上延伸的第二部分，

其中，所述第一部分的顶表面与所述导电线的顶表面共面，以及

其中，所述第二部分暴露出所述磁性图案的所述第一侧壁。

8.根据权利要求7所述的磁存储器件，还包括：

在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，

其中，所述第二层间绝缘层在所述导电线的所述顶表面和所述磁性图案的所述第一侧壁上延伸，并且在所述磁性线的侧壁上延伸。

9.根据权利要求7所述的磁存储器件，还包括：

在所述磁性线和所述磁性图案之间的隧道势垒线，

其中，所述隧道势垒线在所述第一层间绝缘层的所述第二部分和所述磁性线之间延伸。

10.一种磁存储器件，包括：

在第一方向上延伸的第一导电线；

在所述第一导电线上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一磁性线，所述第一磁性线与所述第一导电线交叉；

在所述第一导电线和所述第一磁性线之间的第一磁性图案；

在所述第一磁性线上沿所述第二方向延伸的第二导电线；

在所述第二导电线上在所述第一方向上延伸并与所述第二导电线交叉的第二磁性线；以及

在所述第二导电线和所述第二磁性线之间的第二磁性图案，

其中，所述第二导电线与所述第一磁性线垂直地间隔开，以及

其中，所述第一导电线和所述第二导电线是非磁性的。

11.根据权利要求10所述的磁存储器件，其中，所述第一磁性图案在所述第一导电线和所述第一磁性线的交叉处，并且电连接到所述第一导电线，以及

其中，所述第二磁性图案在所述第二导电线和所述第二磁性线的交叉处，并且电连接到所述第二导电线。

12.根据权利要求10所述的磁存储器件，还包括：

第一隧道势垒线，在所述第一磁性线和所述第一磁性图案之间并且在所述第二方向上延伸以与所述第一导电线交叉；以及

第二隧道势垒线，在所述第二磁性线和所述第二磁性图案之间并且在所述第一方向上延伸以与所述第二导电线交叉。