[发明专利]一种半导体激光器散热结构在审
申请号: | 202011037909.6 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112366512A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陈晓华;章途架;徐丹;于振坤 | 申请(专利权)人: | 北京凯普林光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;朱营琢 |
地址: | 100070 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 散热 结构 | ||
本发明公开了一种半导体激光器散热结构,该半导体激光器散热结构包括COS单元、辅助热沉和底板,COS单元设置在辅助热沉上,辅助热沉安装在底板上,底板内设置有冷却通道,冷却通道内通有冷却介质,辅助热沉抵靠或伸入冷却通道内。上述方案缩短了散热传导路径,简化了散热结构,增强了散热效果;通过散热介质直接对辅助热沉进行散热,使得底板材质的选择不再受限于导热系数,可选择的范围更广,从而降低了制造成本,保障了半导体激光器的正常运行,提高其使用寿命。
技术领域
本发明属于半导体激光器加工技术领域,特别涉及一种半导体激光器散热结构。
背景技术
半导体激光器的COS(Chip Operating System,片内操作系统)单元在工作时会产生大量的热量,如果热量不能被及时导走,将会导致COS单元温度升高,降低性能。现有的半导体激光器中COS单元散热结构复杂,在散热过程中热量需要通过多层热障才能散发出去,导致散热效果不佳。
随着生产技术的发展,单个COS单元的功率在逐年增加,工作时产生的热量也在增加;现有的散热方式受限于自身结构的限制,难以胜任高功率半导体激光器的散热要求。
发明内容
针对上述问题,本发明公开了一种半导体激光器散热结构,以克服上述问题或者至少部分地解决上述问题。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供了一种半导体激光器散热结构,所述散热结构包括COS单元、辅助热沉和底板,所述COS单元设置在所述辅助热沉上,所述辅助热沉安装在所述底板上,所述底板内设置有冷却通道,所述冷却通道内通有冷却介质,所述辅助热沉抵靠或伸入所述冷却通道内。
可选地,所述辅助热沉的个数为1个,呈长条状,所述辅助热沉上设置有多个所述COS单元。
可选地,所述辅助热沉的个数为多个,各所述辅助热沉上设置有若干个所述COS单元。
可选地,各所述辅助热沉呈线性分布或阵列分布。
可选地,所述冷却介质为冷却水、冷却油或冷却气体。
可选地,所述底板上设置有凹槽,所述辅助热沉通过紧固件安装在所述凹槽内。
可选地,所述辅助热沉与所述冷却通道之间设置有密封元件。
可选地,所述COS单元通过焊料烧结在所述辅助热沉上。
可选地,所述辅助热沉的上部呈阶梯状,所述辅助热沉的烧结面为同一阶梯平面。
可选地,所述冷却通道在所述底板内呈U形或迷宫形,所述底板上表面上对应于所述冷却通道上方的位置开设有与所述辅助热沉大小形状相适应的凹槽,所述辅助热沉设置在所述凹槽内。
本发明的优点及有益效果是:
上述方案提供了一种新型的散热结构,该结构增强了半导体激光器的散热效果,满足高功率COS单元散热需求;实现了通过散热介质直接对辅助热沉进行散热,使得底板材质的选择不再受限于导热系数,可选择的范围更广,可以降低了设备制造成本;该散热结构缩短了散热传导路径,简化了散热结构,保障了半导体激光器正常运行,提高了使用寿命。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本发明的一个实施例中的半导体激光器散热结构的立体图;
图2为本发明的一个实施例中的半导体激光器散热结构的俯视图。
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