[发明专利]芯片腔体的加工方法以及半导体激光器

权利要求书

1.一种芯片腔体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，先对芯片腔体进行烘烤；

S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；

S3，待清洗完成后，于所述出光腔面上镀高透膜，所述高透膜至少包括覆盖在所述出光腔面上的第一SiO保护层；

S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；

S5，待清洗完成后，于所述背光腔面上镀高反膜，所述高反膜至少包括覆盖在所述背光腔面上的第二SiO保护层；

在所述S3步骤和所述S5步骤中，所述第一SiO保护层和所述第二SiO保护层在632nm波段折射率均需在1.85～1.95之间；

在所述S3步骤和所述S5步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜，其中，离子源能量为100V/3A，离子源气体Ar气，SiO镀率3.5A/s，Al₂O₃和Si镀率3A/s；

在所述S3步骤中，所述高透膜还包括依次镀在所述第一SiO保护层上的第一Al₂O₃保护层和TiO₂保护层；在所述S5步骤中，所述高反膜还包括依次镀在所述第二SiO保护层上的第二Al₂O₃保护层、第一Si保护层、第三Al₂O₃保护层以及第二Si保护层。

2.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：所述第一SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第一Al₂O₃保护层的厚度在70～90nm之间，所述TiO₂保护层的厚度在110～130nm之间。

3.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：所述第二SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第二Al₂O₃保护层的厚度在140～160nm之间，所述第一Si保护层的厚度在70～90nm之间，所述第三Al₂O₃保护层的厚度在190～210nm之间，所述第二Si保护层的厚度在90～110nm之间。

4.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S1步骤中，将待端面镀膜的Wafer进行解条夹条，减少Bar条在空气中的暴露时间并快速进蒸发镀膜设备抽真空，腔体加热至200～230℃。

5.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于，在所述S2步骤和所述S4步骤中，进行的两次离子清洗具体为：在真空度达到1.5～5.0×10^-6Torr之间时，用等离子体处理出光腔面和背光腔面，其中Veeco的Hall离子源通氩气，离子源阳极电压控制为80-150V，阳极电流控制为2～4A，处理时间为60～200s。

6.一种半导体激光器，其特征在于：包括如权利要求1-5任一所述的芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。