[发明专利]用于评估多芯片模块寿命的评估模块和评估方法

权利要求书

1.一种评估模块(200)，其用于评估多芯片模块(100)的寿命，所述多芯片模块(100)包括第一基板(110)以及设置在第一基板(110)上的附接位置处的多个被评估芯片(130)，其特征在于，所述评估模块(200)包括：

第二基板(210)，其被构造成与所述多芯片模块(100)的第一基板(110)相同，且具有与所述多芯片模块(100)的第一基板(110)上的附接位置相对应的附接位置；和

至少一个评估芯片(230)，其被构造成与所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)相同，且所述至少一个评估芯片(230)的数目比所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)的数目少至少一个，

其中，所述至少一个评估芯片(230)被设置在所述第二基板(210)上的至少一个附接位置处，使得所述至少一个评估芯片(230)与所述多芯片模块(100)上的设置在对应附接位置处的被评估芯片(130)在散热性能和承受的热应力方面相同。

2.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)是单个芯片。

3.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，所述评估模块(200)还包括被设置在所述第二基板(210)上的至少一个芯片替代件(231)，且所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)被配置成能够使所述评估模块(200)的结构在评估过程中保持平衡。

4.根据权利要求3所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个芯片替代件(231)被设置在所述第二基板(210)上的附接位置处。

5.根据权利要求4所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)分别被设置在至少包括三角形的多边形的顶点处，其中在所述第二基板(210)水平放置时，设置在所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)上方的部件的重心线穿过由所述多边形限定的区域。

6.根据权利要求3至5中的任一项所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个芯片替代件(231)由与所述至少一个评估芯片(230)的热机械性能相匹配的材料制成。

7.根据权利要求6所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)是碳化硅MOSFET芯片，且所述至少一个芯片替代件(231)由碳化硅制成。

8.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，在所述多芯片模块(100)还包括第三基板(120)，且所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)被设置在所述多芯片模块(100)的第一基板(110)和第三基板(120)之间时，所述评估模块(200)还包括第四基板(220)，且所述评估模块(200)的至少一个评估芯片(230)被设置在所述评估模块(200)的第二基板(210)和第四基板(220)之间。

9.根据权利要求8所述的评估模块(200)，其特征在于，所述评估模块(200)还包括被设置在所述第二基板(210)和所述第四基板(220)之间的至少一个芯片替代件(231)，且在所述第二基板(210)水平放置时，所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)被配置成能够使所述第四基板(220)在评估过程中保持结构平衡。