[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202011038645.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112614783A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 山村拓嗣;西口贤弥;住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种制造高电子迁移率晶体管的方法，包括步骤：
以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；
以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且为1Pa或以下的炉压力，通过所述炉中的水分和氧气，在所述第一SiN膜上形成界面氧化层；以及
以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过所述低压化学气相沉积法，在所述界面氧化层上形成第二SiN膜。
2.根据权利要求1所述的制造高电子迁移率晶体管的方法，
其中，形成所述界面氧化层的所述步骤持续至少30秒。
3.根据权利要求1或2所述的制造高电子迁移率晶体管的方法，
其中，形成所述界面氧化层和形成所述第二SiN膜的所述步骤将作为硅原料的二氯硅烷气体的流量与作为氮原料的氨气的流量之比设定为1:1。
4.根据权利要求1至3中的一项所述的制造高电子迁移率晶体管的方法，
其中，所述第二炉温度和所述第三炉温度等于所述第一炉温度。
5.一种高电子迁移率晶体管，包括：
由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层；以及
表面保护膜，所述表面保护膜具有设置在所述半导体叠层的表面上的第一SiN膜和设置在所述第一SiN膜上的第二SiN膜，
其中，所述表面保护膜包括在所述第一SiN膜和所述第二SiN膜之间的界面氧化层，并且
其中，所述界面氧化层包含超过5×1021原子/cm3的氧原子和超过1×1020原子/cm3的氯原子，并且具有1nm或以下的厚度。
6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，
其中，所述第一SiN膜和所述第二SiN膜包含超过1×1020原子/cm3的氯原子。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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