[发明专利]具有裸片上镜像功能的存储器芯片和用于测试其的方法

说明书

一种用于测试存储器芯片的方法，包括：对存储器芯片执行裸片电特性拣选(EDS)测试；当EDS测试通过时，执行封装测试；当封装测试通过时，执行模块测试；当模块测试通过时，执行安装测试；以及当EDS测试、封装测试、模块测试或安装测试失败时，通过熔丝操作将存储器芯片设置为镜像模式。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年10月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0123682号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用结合于本文。

技术领域

本发明构思涉及存储器芯片，并且更具体地，涉及具有裸片上(on-die)镜像功能的存储器芯片和用于测试该存储器芯片的方法。

背景技术

通常，随着动态随机存取存储器(DRAM)工艺的小型化，存储器的单元(cell)特性变弱。例如，单元缺陷的可能性增加。例如，单元缺陷可能导致存储器故障，这可能影响数据中心、自主车辆等。因此，在存储器中出现单位(single bit)错误或多位(multi-bit)错误的情况下，可能期望一种用于修复这种缺陷的装置。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种用于测试存储器芯片的方法包括：对存储器芯片执行裸片电特性拣选(electrical die sorting，EDS)测试；当EDS测试通过时，执行封装测试；当封装测试通过时，执行模块测试；当模块测试通过时，执行安装测试；以及当EDS测试、封装测试、模块测试或安装测试失败时，通过熔丝操作将存储器芯片设置为镜像模式。

根据本发明构思的示例性实施例，一种用于测试存储器芯片的方法包括：对存储器芯片执行测试；以及当通过测试在存储器芯片中检测到随机单位故障或多位故障时，通过熔丝操作将存储器芯片设置为镜像模式。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储器芯片包括：存储器单元阵列，具有第一区域和第二区域，其中，第一区域和第二区域中的每一个具有连接到字线和位线的多个存储器单元；行解码器，被配置为响应于行地址选择字线中的一个；感测放大器电路，被配置为在读取操作期间感测来自连接到所选择的位线的存储器单元的数据；列解码器，被配置为响应于列地址从位线当中选择所选择的位线；地址缓冲器，被配置为存储具有行地址和列地址的地址；读取失败指示器，被配置为检测感测到的数据中的错误，并生成对应于所述错误的读取失败信号；镜像模式激活信号发生器，被配置为通过熔丝操作生成对应于镜像模式的镜像模式激活信号；以及控制逻辑，被配置为在镜像模式下在写入操作期间将相同的写入数据写入第一区域和第二区域，以及在镜像模式下响应于读取重试命令，将读取操作的数据输出路径从第一区域的数据输出路径改变为第二区域的数据输出路径。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它特征将更加明显，在附图中：

图1是作为示例示出通用存储器芯片的评估过程的图；

图2是通过示例示出通用存储器芯片修复操作的流程图；

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储器芯片的裸片上镜像功能的图；

图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的修复故障(failed)存储器芯片的方法的图；

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储器芯片的图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的镜像模式激活信号发生器的图；

图7是示出根据本发明构思的示例性实施例的在裸片上镜像模式下存储器芯片的写入操作的图；

图8A是示出根据本发明构思的示例性实施例的在裸片上镜像模式下读取失败过程的图；

图8B是根据本发明构思的示例性实施例的在裸片上镜像模式下读取重试过程；