[发明专利]振动器件

说明书

提供振动器件，该振动器件是小型的。振动器件具有：半导体衬底，其具有处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其设置于所述第1面；第1端子，其设置于所述第2面，被施加衬底电位；第2端子，其设置于所述第2面，被施加与所述衬底电位不同的电位；第1贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第1端子与所述集成电路电连接；第2贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第2端子与所述集成电路电连接；框部，其贯通所述半导体衬底，具有绝缘性；振动片，其配置于所述第1面；以及盖，其与所述第1面接合，所述第1贯通电极位于所述框部的外侧，所述第2贯通电极位于所述框部的内侧。

技术领域

本发明涉及振动器件。

背景技术

专利文献1所记载的半导体装置具有硅衬底。在该硅衬底上形成有贯通硅衬底的筒状贯通电极、覆盖筒状贯通电极的侧壁的第一绝缘膜、以及位于筒状贯通电极的内侧并贯通硅衬底的条状贯通电极。因此，假设与贯通孔连接的凸块不仅与贯通孔接触，还与该贯通孔周围的硅衬底接触，即使电流经由该接触部而从端子泄漏到硅衬底，也难以产生绝缘不良。因此，能够抑制半导体装置的可靠性下降。

专利文献1：日本特开2006-019431号公报

但是，当将如专利文献1的筒状贯通电极和绝缘膜配置于全部贯通电极的周围时，会导致半导体装置的大型化。

发明内容

本应用例的振动器件的特征在于，具有：半导体衬底，其具有处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其设置于所述第1面；第1端子，其设置于所述第2面，被施加衬底电位；第2端子，其设置于所述第2面，被施加与所述衬底电位不同的电位；第1贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第1端子与所述集成电路电连接；第2贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第2端子与所述集成电路电连接；框部，其贯通所述半导体衬底，具有绝缘性；振动片，其配置于所述第1面；以及盖，其与所述第1面接合，所述第1贯通电极位于所述框部的外侧，所述第2贯通电极位于所述框部的内侧。

在本应用例的振动器件中，优选的是，该振动器件具有绝缘膜，该绝缘膜具有通孔，并配置在所述第2面与所述第2端子之间，所述第2端子经由所述通孔与所述第2贯通电极电连接。

在本应用例的振动器件中，优选的是，所述通孔的宽度大于所述第2贯通电极的宽度，在俯视时，所述通孔被所述框部包围，所述第2端子经由所述通孔与所述半导体衬底的所述框部的内侧区域电连接。

在本应用例的振动器件中，优选的是，所述框部具有：孔，其贯通所述半导体衬底；绝缘膜，其配置于所述孔的内表面；以及导电性材料，其被填充在所述孔内。

在本应用例的振动器件中，优选的是，经由所述第2端子向所述集成电路供给电源，所述第2贯通电极与所述导电性材料电连接。

在本应用例的振动器件中，优选的是，经由所述第2端子输出来自所述集成电路的信号，所述第2贯通电极不与所述导电性材料电连接。

在本应用例的振动器件中，优选的是，所述第2贯通电极的长度大于所述第2贯通电极的宽度。

附图说明

图1是示出第1实施方式的振动器件的剖视图。

图2是底座衬底的仰视图。

图3是示出贯通电极与端子的连接状态的剖视图。

图4是示出形成在底座衬底内的电容器的剖视图。

图5是示出振动片的俯视图。

图6是示出图1的振动器件的制造工序的图。

图7是用于说明振动器件的制造方法的剖视图。

图8是用于说明振动器件的制造方法的剖视图。

图9是用于说明振动器件的制造方法的剖视图。