[发明专利]一种高性能恒流装置和方法有效
申请号: | 202011039156.2 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112286273B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 姜建伟;辜长明;姜一真 | 申请(专利权)人: | 青岛海泰新光科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565;H02H7/20 |
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地址: | 266100 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 装置 方法 | ||
本发明涉及一种高性能恒流装置和方法,属于电力电子相关领域,该恒流装置采用系统设计的思路,通过多环路反馈并配合前馈的方式进行恒流拉载,从而避免因MOS管分布参数离散性所导致的拉载电流不均衡问题,相比传统的实现方式,该电路大大降低了MOS管选取难度,同时取消了均流电阻和MOS管过流保护装置,故该恒流装置特别适合需要MOS管并联进行大电流高速恒流拉载的场合。
技术领域
该技术方案涉及一种高性能恒流装置和方法,属于电力电子相关领域。
背景技术
随着电子技术的发展,各种要求苛刻的供电场景越来越多,在一些应用中需要大电流恒流供电且要求快速的响应速度,在这些应用中,一般采用MOS管并联的方式进行恒流拉载。目前流行的并联方式是将MOS管作为并联单元,进行依次并联。采用这种方式,MOS管分布参数的离散性将使MOS管拉载电流不均匀。体现在两方面,一是受栅极分布电容离散性的影响,拉载开启的瞬时MOS管导通时间不一致,个别MOS管存在过冲严重的问题,导致MOS管瞬时过功率的情况;二是拉载稳定运行后,受MOS管导通电阻离散性的影响,致使各MOS管的稳态拉载电流分布不均匀,造成个别MOS管过热。以上两个问题均是由MOS管分布参数的离散性造成的电流分布不均匀所导致的。目前解决上述问题主要采取以下方法,一是串接均流电阻的方法,缺点是在大电流的情况下均流电阻体积会很大,发热严重,对布板要求过高;二是选用分布参数离散性小的MOS管,但由于MOS管的分布参数厂家很难做到精准控制,所以购买难度大,采购成本会明显增加;三是采用为每一路MOS管增加过流保护的方法,该方法会减慢环路的拉载速度,不适用对响应速率要求高的场合。
发明内容
该发明专利主要针对目前MOS管并联拉载电流较大且要求高精度高响应速度的应用场合,设计出一种新的高性能恒流电路装置,避免因MOS管分布参数离散性所导致的电流拉载不均衡问题。该电路采用多环路反馈并配合前馈的系统设计思路,在提高系统的鲁棒性,保证响应速度的基础上,抑制MOS管开启时严重过冲,并确保稳态拉载电流均匀。
现结合附图说明本发明的技术方案:
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