[发明专利]像素结构及其制备方法有效
申请号: | 202011039667.4 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112133732B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李哲 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;
其中,同一行的两个相邻的所述像素单元对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元对称设置,每个所述第一子像素和每个所述第三子像素为四个所述像素单元共用;
其中,所述第二子像素的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素和所述第三子像素之间的间隙区域的形状相适配;
其中,所述第二子像素的与所述第一子像素和所述第三子像素相邻的两条边的中点连线的第一中点位于所述第一子像素和所述第三子像素的与所述第二子像素相邻的边的中点连线的第一中垂线上;在每个所述像素单元中,所述第一子像素的两条对角线延长线与所述第三子像素的两条对角线构成一个正方形轮廓,所述第一中垂线在所述正方形轮廓的部分形成第一中垂线段;其中,位于两行两列上的相邻的四个所述像素单元构成一个像素组,所述像素组中的两个所述第一子像素的中心点和两个第三子像素的中心点构成一个菱形轮廓,在所述第一中垂线上,所述第一中点位于所述第一中垂线段的中点向所述菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第三子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段和所述第二参考线段均小于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为平行六边形;
所述第一子像素的边长与所述第三子像素的边长均小于所述正方形轮廓的对角线长度,所述第二子像素的形状为平行六边形。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第三子像素靠近所述第二子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段或所述第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为等腰梯形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的